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1. (WO2010032978) METHOD FOR DEPOSITING AMORPHOUS SILICON THIN FILM BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/032978    International Application No.:    PCT/KR2009/005313
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 18.09.2009
IPC:
C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE [KR/KR]; 161 Gajeong-dong, Yuseong-gu, Daejeon 305-350 (KR) (For All Designated States Except US).
YANG, Woo Seok [KR/KR]; (KR) (For US Only).
CHO, Seong Mok [KR/KR]; (KR) (For US Only).
RYU, Ho Jun [KR/KR]; (KR) (For US Only).
CHEON, Sang Hoon [KR/KR]; (KR) (For US Only).
YU, Byoung Gon [KR/KR]; (KR) (For US Only).
CHOI, Chang Auck [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: YANG, Woo Seok; (KR).
CHO, Seong Mok; (KR).
RYU, Ho Jun; (KR).
CHEON, Sang Hoon; (KR).
YU, Byoung Gon; (KR).
CHOI, Chang Auck; (KR)
Agent: SHIN, Young Moo; Ace Tower 4th Floor, 1-170, Soonhwa-dong, Chung-gu, Seoul 100-130 (KR)
Priority Data:
10-2008-0092080 19.09.2008 KR
Title (EN) METHOD FOR DEPOSITING AMORPHOUS SILICON THIN FILM BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
(FR) PROCÉDÉ POUR LE DÉPÔT D'UN FILM MINCE DE SILICIUM AMORPHE PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method of depositing an amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition (CVD) to prevent bubble defect occurring when an amorphous silicon thin film is deposited on a substrate contaminated by air exposure. The deposition method includes cleaning a surface of the contaminated substrate with a reaction gas activated by plasma and depositing an amorphous silicon thin film on the cleaned substrate. Here, a vacuum state is maintained from the substrate cleaning step to the thin film deposition step in order to prevent contamination of the surface of the cleaned substrate by re-exposure to air.
(FR)L'invention porte sur un procédé de dépôt d'un film mince de silicium amorphe par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour empêcher l'apparition de défauts de type bulles lorsqu'un film mince de silicium amorphe est déposé sur un substrat contaminé par exposition à l'air. Le procédé de dépôt comprend le nettoyage d'une surface du substrat contaminé par un gaz réactionnel activé par plasma et le dépôt d'un film mince de silicium amorphe sur le substrat nettoyé. Ici, un état de vide est maintenu de l'étape de nettoyage du substrat jusqu’à l'étape de dépôt du film mince afin d'empêcher la contamination de la surface du substrat nettoyé par réexposition à l'air.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)