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1. (WO2010032834) ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS AND COMPOSITION FOR FORMING INSULATING LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/032834    International Application No.:    PCT/JP2009/066400
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 18.09.2009
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), C08G 65/40 (2006.01), C08G 75/08 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Applicants: Seiko Epson Corporation [JP/JP]; 4-1, Nishishinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630811 (JP) (For All Designated States Except US).
NIPPONSHOKUBAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-1-1, Koraibashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410043 (JP) (For All Designated States Except US).
YASUDA Takuro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWASE Takeo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KARASAWA Junichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
INOUE Keiichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OMOTE Kazushi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ARAI Tomoya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ANDO Keiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ASAKO Yoshinobu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YASUDA Takuro; (JP).
KAWASE Takeo; (JP).
KARASAWA Junichi; (JP).
INOUE Keiichi; (JP).
OMOTE Kazushi; (JP).
ARAI Tomoya; (JP).
ANDO Keiko; (JP).
ASAKO Yoshinobu; (JP)
Agent: ASAHI Kazuo; (JP)
Priority Data:
2008-242937 22.09.2008 JP
2008-242936 22.09.2008 JP
Title (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS AND COMPOSITION FOR FORMING INSULATING LAYER
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, APPAREIL ÉLECTRONIQUE, ET COMPOSITION ADAPTÉE POUR FORMER UNE COUCHE ISOLANTE
(JA) 有機半導体装置、有機半導体装置の製造方法、電子デバイス、電子機器および絶縁層形成組成物
Abstract: front page image
(EN)An organic semiconductor device having low moisture absorption, wherein characteristics rarely deteriorate over time.  An electronic device and an electronic apparatus each comprising the organic semiconductor device and having high reliability. The organic semiconductor device comprises a source electrode (20a), a drain electrode (20b), a gate electrode (50), a gate insulating layer (40) for insulating the source electrode (20a) and the drain electrode (20b) from the gate electrode (50), an organic semiconductor layer (30) formed in contact with the gate insulating layer (40), and a buffer layer (second insulating layer) (60) formed in contact with the organic semiconductor layer (30) on the reverse side of the gate insulating layer (40) side face.  At least one of the gate insulating layer (40) and the buffer layer (60) contains an insulating polymer having a main chain that contains a repeating unit represented by general formula (1) or (2). (In the formulae, R1 and R2 may be the same or different and each represents a divalent organic group containing an aromatic ring; and Y represents an oxygen atom or a sulfur atom.)
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur organique qui a une faible capacité d'absorption d'humidité et dont les caractéristiques se détériorent rarement sur la durée. La présente invention concerne également un dispositif électronique et un appareil électronique comprenant chacun le dispositif à semi-conducteur organique et faisant preuve d'une excellente fiabilité. Le dispositif à semi-conducteur organique comprend une électrode source (20a), une électrode drain (20b), une électrode grille (50), ainsi qu'une couche d'isolation de grille (40) qui est adaptée pour isoler l'électrode source (20a) et l'électrode drain (20b) de l'électrode grille (50). Il comprend également une couche semi-conductrice organique (30) qui est réalisée en contact avec la couche d'isolation de grille (40), et une couche tampon (seconde couche isolante) (60) qui est réalisée en contact avec la couche semi-conductrice organique (30) sur le côté opposé de la surface du côté de la couche d'isolation de grille (40). La couche d'isolation de grille (40) et/ou la couche tampon (60) contiennent un polymère isolant ayant une chaîne principale qui contient des motifs répétés représentés par la formule générale (1) ou (2). (Dans les formules, R1 et R2 peuvent être identiques ou différents et représentent chacun un groupe organique divalent contenant un noyau aromatique, et Y représente un atome d'oxygène ou un atome de soufre).
(JA) 吸湿性が低く、特性が経時的に劣化し難い有機半導体装置、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。  本発明の有機半導体装置は、ソース電極20aと、ドレイン電極20bと、ゲート電極50と、ゲート電極50に対してソース電極20aおよびドレイン電極20bを絶縁するゲート絶縁層40と、ゲート絶縁層40に接触して設けられた有機半導体層30と、有機半導体層30のゲート絶縁層40と反対側に接触して設けられたバッファ層(第2の絶縁層)60とを有し、ゲート絶縁層40およびバッファ層60の少なくとも一方に、下記一般式(1)または(2)で表される繰り返し単位を含む主鎖を有する絶縁性高分子を含んでいる。[但し、式中、RおよびRは、同一または異なって芳香環を含む二価の有機基を示す。また、Yは、酸素原子または硫黄原子を示す。]
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)