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1. (WO2010032710) SUBSTRATE PROCESSING LIQUID AND METHOD FOR PROCESSING RESIST SUBSTRATE USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/032710    International Application No.:    PCT/JP2009/066035
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 14.09.2009
IPC:
G03F 7/32 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: AZ Electronic Materials (Japan) K.K. [JP/JP]; Bunkyo Green Court, 28-8, Honkomagome 2-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130021 (JP) (AE, AG, AL, AM, AO, AU, AZ, BA, BB, BF, BH, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, DM, DO, DZ, EC, EG, GA, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GT, GW, HN, HR, ID, IL, IN, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LY, MA, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, RS, RU, SC, SD, SG, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
AZ Electronic Materials USA CORP. [US/US]; 70 Meister Avenue, Somerville, New Jersey 08876 (US) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR only).
WANG Xiaowei [CN/JP]; (JP) (For US Only).
KANG Wenbing [CN/JP]; (JP) (For US Only).
KATAYAMA Tomohide [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUURA Yuriko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOIKE Tohru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: WANG Xiaowei; (JP).
KANG Wenbing; (JP).
KATAYAMA Tomohide; (JP).
MATSUURA Yuriko; (JP).
KOIKE Tohru; (JP)
Agent: YOSHITAKE Kenji; (JP)
Priority Data:
2008-236575 16.09.2008 JP
Title (EN) SUBSTRATE PROCESSING LIQUID AND METHOD FOR PROCESSING RESIST SUBSTRATE USING SAME
(FR) LIQUIDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT DE RÉSIST À L'AIDE DE CELUI-CI
(JA) 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a resist substrate processing liquid capable of efficiently removing a resist residue remaining on the surface of a resist substrate after development, which also enables microfabrication of a pattern.  Also disclosed is a method for processing a resist substrate using the resist substrate processing liquid.  The resist substrate processing liquid for processing a resist substrate having a developed photoresist pattern contains a solvent which does not dissolve the developed photoresist pattern, and a polymer which is soluble in the solvent.  The resist residue on the substrate surface can be efficiently removed by bringing the resist substrate after development into contact with the resist substrate processing liquid, and then cleaning the substrate with a rinsing liquid such as water.  Water is preferably used as the solvent, and a water-soluble polymer is preferably used as the polymer.
(FR)La présente invention porte sur un liquide de traitement de substrat de résist qui peut enlever efficacement un résidu de résist restant sur la surface d'un substrat de résist après développement, qui permet également la microfabrication d'un motif. La présente invention porte également sur un procédé de traitement d'un substrat de résist à l'aide du liquide de traitement de substrat de résist. Le liquide de traitement de substrat de résist pour traiter un substrat de résist ayant un motif de photorésist développé contient un solvant qui ne dissout pas le motif de photorésist développé et un polymère qui est soluble dans le solvant. Le résidu de résist sur la surface de substrat peut être efficacement enlevé en amenant le substrat de résist après développement en contact avec le liquide de traitement de substrat de résist et, ensuite, en nettoyant le substrat avec un liquide de rinçage tel que de l'eau. L'eau est de préférence utilisée comme solvant et un polymère soluble dans l'eau est de préférence utilisé comme polymère.
(JA) 本発明は、現像後のレジスト基板表面に残存するレジスト残渣を効率的に除去でき、かつパターンの微細化も可能なレジスト基板処理液およびそれを用いたレジスト基板の処理方法を提供するものである。この現像済みフォトレジストパターンを有するレジスト基板を処理するためのレジスト基板処理液は、現像後のフォトレジストパターンを溶解しない溶媒と、前記溶媒に溶解しえるポリマーとを含んでなる。現像処理後のレジスト基板を、このレジスト基板処理液に接触させ、水などのリンス液による洗浄することによって、基板表面のレジスト残渣を効率的に除去することができる。溶媒には水が好ましく用いられ、ポリマーには水溶性ポリマーが好ましく用いられる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)