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1. (WO2010032673) NICKEL-CONTAINING FILM‑FORMATION MATERIAL, AND NICKEL-CONTAINING FILM‑FABRICATION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/032673    International Application No.:    PCT/JP2009/065823
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 10.09.2009
IPC:
C23C 16/18 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), C07F 9/52 (2006.01), C07F 15/04 (2006.01)
Applicants: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (For All Designated States Except US).
AOKI, Takanori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBAYASHI, Takamitsu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: AOKI, Takanori; (JP).
KOBAYASHI, Takamitsu; (JP)
Agent: SSINPAT PATENT FIRM; Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
Priority Data:
2008-242446 22.09.2008 JP
Title (EN) NICKEL-CONTAINING FILM‑FORMATION MATERIAL, AND NICKEL-CONTAINING FILM‑FABRICATION METHOD
(FR) MATÉRIAU DE FORMATION D’UN FILM CONTENANT DU NICKEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN FILM CONTENANT DU NICKEL
(JA) ニッケル含有膜形成材料およびニッケル含有膜の製造方法
Abstract: front page image
(EN)
(FR)L’invention concerne un matériau de formation d’un film contenant du nickel qui ne cause pas facilement de carbone résiduel dans le film contenant du nickel et qui n’a pas tendance à produire du HF en tant que sous-produit lors de la formation d’un film par CVD (dépôt chimique en phase vapeur). L’invention concerne également un matériau de formation d’un film contenant du nickel, le film contenant du nickel étant un film de siliciure de nickel. Le matériau de formation d’un film contenant du nickel est caractérisé en ce qu’il contient au moins un type de complexe de nickel choisi dans un groupe comprenant Ni(PF2(CF3))4, Ni(PF(CF3)2)4, Ni(P(CF3)3)4, Ni(PF2R2)4, Ni(PFR3R4)4 et Ni(PF2NR1R5)4 (R1 à R5 représentant chacun individuellement H ou un groupe alkyle ou un groupe phényle contenant 1 à 6 carbones).
(JA)[課題]CVD(化学気相成長法)による膜形成において、ニッケル含有膜中に炭素が残存しにくく、かつHFが副生しにくいニッケル含有膜形成材料を提供すること。さらにはニッケル含有膜がニッケルシリサイド膜であるニッケル含有膜形成材料を提供すること。 [解決手段]本発明のニッケル含有膜形成材料は、Ni(PF2(CF3))4、Ni(PF(CF324、Ni(P(CF334、Ni(PF224、Ni(PFR344およびNi(PF2NR154からなる群(ただし、R1~R5は各々独立に、H、炭素数1~6のアルキル基またはフェニル基を表す。)より選ばれる少なくとも1種のニッケル錯体を含むことを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)