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1. (WO2010032632) OPTICAL SENSING ELEMENT, OPTICAL SENSING DEVICE, AND DISPLAY DEVICE WITH OPTICAL SENSOR FUNCTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/032632    International Application No.:    PCT/JP2009/065482
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 04.09.2009
IPC:
H01L 31/10 (2006.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP) (For All Designated States Except US).
HARA, Yujiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KUDO, Yuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIDA, Jiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HARA, Yujiro; (JP).
KUDO, Yuki; (JP).
YOSHIDA, Jiro; (JP)
Agent: HYUGAJI, Masahiko; (JP)
Priority Data:
2008-241062 19.09.2008 JP
Title (EN) OPTICAL SENSING ELEMENT, OPTICAL SENSING DEVICE, AND DISPLAY DEVICE WITH OPTICAL SENSOR FUNCTION
(FR) ÉLÉMENT DE DÉTECTION OPTIQUE, DISPOSITIF DE DÉTECTION OPTIQUE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE AVEC FONCTION DE CAPTEUR OPTIQUE
(JA) 光検出素子、光検出装置、及び、光検出機能付き表示装置
Abstract: front page image
(EN)An optical sensing element which is characterized by comprising: a substrate; a first semiconductor region of a first conductivity type formed on the substrate; a second semiconductor region of the first semiconductor type formed in contact with the first semiconductor region in the same plane as the first semiconductor region and having a lower impurity concentration than the first semiconductor region; a third semiconductor region of a second conductivity type formed in contact with the second semiconductor region in the same plane as the second semiconductor region; an insulating film formed on the first semiconductor region, the second semiconductor region and the third semiconductor region; a first electrode formed on the insulating film and electrically connected to the first semiconductor region; a second electrode formed on the insulating film and electrically connected to the third semiconductor region; and a light-shielding film formed on the insulating film in such a manner that the rim thereof surrounds the boundary between the second semiconductor region and the third semiconductor region, while being electrically connected to the first electrode.
(FR)L'invention porte sur un élément de détection optique caractérisé en ce qu'il comprend : un substrat ; une première région semi-conductrice d'un premier type de conductivité formée sur le substrat ; une deuxième région semi-conductrice du premier type de conductivité formée en contact avec la première région semi-conductrice dans le même plan que la première région semi-conductrice et ayant une concentration en impuretés inférieure à celle de la première région semi-conductrice ; une troisième région semi-conductrice d'un second type de conductivité formée en contact avec la deuxième région semi-conductrice dans le même plan que la deuxième région semi-conductrice ; un film isolant formé sur la première région semi-conductrice, la deuxième région semi-conductrice et la troisième région semi-conductrice ; une première électrode formée sur le film isolant et électriquement connectée à la première région semi-conductrice ; une seconde électrode formée sur le film isolant et électriquement connectée à la troisième région semi-conductrice ; et un film de protection contre la lumière formé sur le film isolant de telle manière que sa périphérie entoure la frontière entre la deuxième région semi-conductrice et la troisième région semi-conductrice, tout en étant électriquement connectée à la première électrode.
(JA) 基板と、基板上に設けられた第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域に接して第1半導体領域と同じ平面内に設けられ、第1半導体領域よりも不純物濃度が低い第1導電型の第2半導体領域と、第2半導体領域に接して第2半導体領域と同じ平面内に設けられた第2導電型の第3半導体領域と、第1半導体領域と第2半導体領域と第3半導体領域の上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、第1半導体領域と電気的に接続された第1電極と、絶縁膜上に設けられ、第3半導体領域と電気的に接続された第2電極と、絶縁膜上に設けられ、周縁が第2半導体領域と第3半導体領域との境界を取り囲むように配置され、第1電極と電気的に接続された遮光膜と、を備えたことを特徴とする光検出素子を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)