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1. (WO2010032629) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/032629    International Application No.:    PCT/JP2009/065460
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 28.08.2009
IPC:
G09F 9/30 (2006.01), G02F 1/133 (2006.01), G02F 1/1345 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G02F 1/167 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AKIMOTO, Kengo; (For US Only).
KOMORI, Shigeki; (For US Only).
UOCHI, Hideki; (For US Only).
WADA, Rihito; (For US Only).
CHIBA, Yoko; (For US Only)
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
AKIMOTO, Kengo; .
KOMORI, Shigeki; .
UOCHI, Hideki; .
WADA, Rihito; .
CHIBA, Yoko;
Priority Data:
2008-241307 19.09.2008 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A display device includes a pixel portion in which a pixel is arranged in a matrix, the pixel including an inverted staggered thin film transistor having a combination of at least two kinds of oxide semiconductor layers with different amounts of oxygen and having a channel protective layer over a semiconductor layer to be a channel formation region overlapping a gate electrode layer and a pixel electrode layer electrically connected to the inverted staggered thin film transistor. In the periphery of the pixel portion in this display device, a pad portion including a conductive layer made of the same material as the pixel electrode layer is provided. In addition, the conductive layer is electrically connected to a common electrode layer formed on a counter substrate.
(FR)Un dispositif d’affichage comprend une partie de pixels dans laquelle un pixel est disposé dans une matrice, le pixel comprenant un transistor inversé et décalé à film mince possédant une combinaison d'au moins deux types de couches d'oxyde semi-conductrices dotées de quantités différentes d'oxygène et possédant une couche protectrice de canal sur une couche semi-conductrice qui doit former une région de formation de canal chevauchant une couche d'électrode de grille et une couche d'électrode de pixel connectées au transistor inversé et décalé à film mince. A la périphérie de la partie de pixels de ce dispositif d'affichage, une partie de pastille de connexion comprenant une couche conductrice composée du même matériau que la couche d'électrode de pixel est fournie. De plus, la couche conductrice est connectée électriquement à une couche d'électrode commune formée sur un substrat de compteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)