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1. (WO2010032619) DISPLAY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/032619    International Application No.:    PCT/JP2009/065371
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 27.08.2009
IPC:
G09F 9/30 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AKIMOTO, Kengo; (For US Only).
KOMORI, Shigeki; (For US Only).
UOCHI, Hideki; (For US Only).
FUTAMURA, Tomoya; (For US Only).
KASAHARA, Takahiro; (For US Only)
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
AKIMOTO, Kengo; .
KOMORI, Shigeki; .
UOCHI, Hideki; .
FUTAMURA, Tomoya; .
KASAHARA, Takahiro;
Priority Data:
2008-241645 19.09.2008 JP
Title (EN) DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Abstract: front page image
(EN)A protective circuit includes a non-linear element which includes a gate electrode, a gate insulating layer covering the gate electrode, a first oxide semiconductor layer overlapping with the gate electrode over the gate insulating layer, and a first wiring layer and a second wiring layer whose end portions overlap with the gate electrode over the first oxide semiconductor layer and in which a conductive layer and a second oxide semiconductor layer are stacked. Over the gate insulating layer, oxide semiconductor layers with different properties are bonded to each other, whereby stable operation can be performed as compared with Schottky junction. Thus, the junction leakage can be reduced and the characteristics of the non-linear element can be improved.
(FR)Un circuit de protection comprend un élément non linéaire qui se compose d'une électrode de grille, d'une couche de grille isolante couvrant l'électrode de grille, d'une première couche d’oxyde semi-conductrice chevauchant l'électrode de grille sur la couche de grille isolante, et d'une première couche de câblage et d'une seconde couche de câblage dont les parties d'extrémités chevauchent l'électrode de grille sur la première couche d’oxyde semi-conductrice et dans laquelle une couche conductrice et une seconde couche d’oxyde semi-conductrice sont empilées. Sur la couche de grille isolante, des couches d’oxyde semi-conductrices dotées de propriétés différentes sont liées les unes aux autres. Une opération stable peut être réalisée, en comparaison avec la jonction Schottky. Ainsi, la fuite de la jonction peut être réduite et les caractéristiques de l'élément non linéaire peuvent être améliorées.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)