WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2010032595) PROCESS FOR SIMULTANEOUSLY PRODUCING LARGE QUANTITY OF VARIOUS MOLECULAR OR PARTICLE CLUSTERS HAVING ANY DISTRIBUTION PROFILE AND DISTRIBUTION DENSITY AND MASK MATERIAL FOR USE IN THE PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/032595    International Application No.:    PCT/JP2009/064899
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 20.08.2009
IPC:
G01N 33/543 (2006.01), C12M 1/00 (2006.01), C12N 11/00 (2006.01), C12N 15/09 (2006.01), G01N 37/00 (2006.01)
Applicants: Japan Science and Technology Agency [JP/JP]; 4-1-8, Hon-cho, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012 (JP) (For All Designated States Except US).
IKUTA, Koji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IKEUCHI, Masashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: IKUTA, Koji; (JP).
IKEUCHI, Masashi; (JP)
Agent: NAGASE, Shigeki; 1203, 3-7-11, Iwamoto-cho, Chiyoda-ku Tokyo 1010032 (JP)
Priority Data:
2008-237696 17.09.2008 JP
Title (EN) PROCESS FOR SIMULTANEOUSLY PRODUCING LARGE QUANTITY OF VARIOUS MOLECULAR OR PARTICLE CLUSTERS HAVING ANY DISTRIBUTION PROFILE AND DISTRIBUTION DENSITY AND MASK MATERIAL FOR USE IN THE PROCESS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION SIMULTANÉE D'UNE GRANDE QUANTITÉ DE DIVERS GROUPES MOLÉCULAIRES OU PARTICULAIRES PRÉSENTANT N'IMPORTE QUEL PROFIL DE DISTRIBUTION ET DENSITÉ DE DISTRIBUTION ET MATÉRIAU DE MASQUE POUR UNE UTILISATION DANS LE PROCÉDÉ
(JA) 任意の分布形状と分布密度を有する分子または粒子の集団を同時に多種大量生成する方法とその方法に使用するマスク材
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a process for simultaneously producing a large quantity of various molecular or particle clusters having any distribution profile and distribution density.  A suspension which contains an object material and has one concentration is added onto a mask material that is mounted on a base material and has a predetermined structure, whereby a large quantity of various molecular or particle cluster groups of the object material satisfying a plurality of combination conditions for a distribution profile and a distribution density can be formed through the sedimentation of the material. The process comprises forming clusters of fine particles or molecules on the base material while specifying the distribution profile and distribution areal density.  A mask material comprising through-holes having a slanted wall structure designed according to contemplated distribution profile and distribution density are juxtaposed is prepared.  A solution or suspension of the object material is mounted on the mask material, and the material is sedimented in an area specified by the slanted wall structure of the mask material, whereby the material which is passed through the area surrounded by the upper boundary of the wall structure and is sedimented along the slanted wall surface is deposited within the predetermined area on the base material, which is surrounded by a lower boundary of the wall structure.
(FR)L'invention porte sur un procédé de production simultanée d'une grande quantité de divers groupes moléculaires ou particulaires présentant n'importe quel profil de distribution et n'importe quelle densité de distribution. Une suspension, qui contient un matériau objet et présente une concentration, est ajoutée sur un matériau de masque, qui est monté sur un matériau de base et présente une structure prédéterminée, ce par quoi une grande quantité de divers groupes moléculaires ou particulaires du matériau objet satisfaisant une pluralité de conditions de combinaison pour un profil de distribution et une densité de distribution peut être formée par la sédimentation du matériau. Le procédé comprend la formation de groupes de particules ou molécules fines sur le matériau de base, tout en spécifiant le profil de distribution et la densité de surface de distribution. Un matériau de masque, comprenant des trous traversants présentant une structure de paroi inclinée conçue conformément à un profil de distribution et à une densité de distribution envisagés qui sont juxtaposés, est préparé. Une solution ou suspension du matériau objet est disposée sur le matériau de masque, et le matériau est sédimenté dans une zone spécifiée par la structure de paroi inclinée du matériau de masque, ce par quoi le matériau qui est amené à passer à travers la zone entourée par la limite supérieure de la structure de paroi et qui est sédimenté le long de la surface de paroi inclinée, est déposé dans la zone prédéterminée sur le matériau de base, qui est entourée par une limite inférieure de la structure de paroi.
(JA) 対象物質を含む1種類の濃度の懸濁液を、基材上に載置した所定の構造を有するマスク材上に加えることにより、物質の沈降を利用して、分布形状と分布密度の複数の組み合わせ条件を有する当該物質の子集団群を多種大量に形成すること。 微細な粒子あるいは分子の集団を、分布形状と分布面密度を規定して、基材上に形成する方法であって、目的とする分布形状と、分布密度に応じて設計される、傾斜付き壁構造を有する貫通孔を並列配置したマスク材を準備し、当該物質の溶液あるいは懸濁液を、前記マスク材上に載置し、マスク材の傾斜付き壁構造によって規定される領域内に当該物質を沈降させることにより、前記壁構造の上部境界によって囲まれた領域を通過して、傾斜付き壁面に沿って沈降する物質が、壁構造の下部境界によって囲まれた、基材上の所定領域内に堆積する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)