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1. (WO2010032519) MOTHERBOARD, MOTHERBOARD MANUFACTURING METHOD AND DEVICE BOARD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/032519    International Application No.:    PCT/JP2009/060549
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 09.06.2009
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: Sharp Kabushiki Kaisha [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
FUJIKAWA Yohsuke [JP/--]; (For US Only)
Inventors: FUJIKAWA Yohsuke;
Agent: YASUTOMI & Associates; 5-36, Miyahara 3-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320003 (JP)
Priority Data:
2008-239167 18.09.2008 JP
Title (EN) MOTHERBOARD, MOTHERBOARD MANUFACTURING METHOD AND DEVICE BOARD
(FR) CARTE MÈRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CARTE MÈRE ET CARTE DE DISPOSITIF
(JA) 母基板及びその製造方法、並びにデバイス基板
Abstract: front page image
(EN)Provided are a motherboard wherein a waste board region is reduced, while efficiently arranging panel boards on the motherboard, a method for manufacturing such motherboard, and a device board composed of the panel board formed on the motherboard.  The motherboard is provided with a plurality of panel boards and a silicon thin film which is formed on the main surface.  Each of the panel boards is provided with a transistor forming region and an end region.  The transistor forming region is formed by polycrystallizing the silicon thin film, the end region is arranged on an outer end of each panel board, and at least one panel board has, in the end region, a region including a silicon thin film having a crystal profile different from that of the silicon thin film in the transistor forming region.
(FR)L'invention porte sur une carte mère dans laquelle une région de carte perdue est réduite, tout en agençant de façon efficace des cartes de panneau sur la carte mère, sur un procédé de fabrication d'une telle carte mère, et sur une carte de dispositif composée de la carte de panneau formée sur la carte mère. La carte mère comprend une pluralité de cartes de panneau et un film mince en silicium qui est formé sur la surface principale. Chacune des cartes de panneau comprend une région de formation de transistor et une région d'extrémité. La région de formation de transistor est formée par polycristallisation du film mince en silicium, la région d'extrémité est agencée sur une extrémité externe de chaque carte de panneau, et au moins une carte de panneau comprend, dans la région d'extrémité, une région comprenant un film mince en silicium ayant un profil cristallin différent de celui du film mince en silicium dans la région de formation de transistor.
(JA)本発明は、母基板上にパネル基板を効率よく配置しつつ、捨て基板領域を低減できる母基板及びその製造方法、並びに、母基板に形成されたパネル基板からなるデバイス基板を提供する。本発明の母基板は、複数のパネル基板を備えた母基板であって、上記母基板は、主面に形成されたシリコン薄膜を備え、上記パネル基板は、トランジスタ形成領域と端部領域とを各々備え、上記トランジスタ形成領域は、上記シリコン薄膜が多結晶化されてなり、上記端部領域は、各パネル基板の外縁に設けられ、少なくとも一つのパネル基板は、上記端部領域において、上記トランジスタ形成領域におけるシリコン薄膜の結晶プロファイルとは異なる結晶プロファイルを有するシリコン薄膜を含む領域を有する母基板である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)