WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2010032470) CURRENT SUPPRESSING ELEMENT, STORAGE ELEMENT, STORAGE DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING CURRENT SUPPRESSING ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/032470    International Application No.:    PCT/JP2009/004689
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 17.09.2009
Chapter 2 Demand Filed:    21.06.2010    
IPC:
H01L 49/02 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
ARITA, Koji; (For US Only).
MIKAWA, Takumi; (For US Only).
IIJIMA, Mitsuteru; (For US Only).
TOMINAGA, Kenji; (For US Only)
Inventors: ARITA, Koji; .
MIKAWA, Takumi; .
IIJIMA, Mitsuteru; .
TOMINAGA, Kenji;
Agent: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg. 3-10, Nishi Nakajima 5-chome Yodogawa-ku, Osaka-city Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2008-240472 19.09.2008 JP
Title (EN) CURRENT SUPPRESSING ELEMENT, STORAGE ELEMENT, STORAGE DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING CURRENT SUPPRESSING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE SUPPRESSION DE COURANT, ÉLÉMENT DE STOCKAGE, DISPOSITIF DE STOCKAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE SUPPRESSION DE COURANT
(JA) 電流抑制素子、記憶素子、記憶装置および電流抑制素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a current suppressing element that can prevent the occurrence of write disturbance, can allow high current to flow into a resistance variable element, and can write data without any problem even when electric pulses having different polarities are applied.  Also disclosed is a storage element (3) comprising a resistance variable element (1) that undergoes a change in electric resistance and maintains the changed electric resistance upon the application of electric pulses having positive or negative polarity, and a current suppressing element (2) that suppresses current which flows in the resistance variable element (1) upon the application of the electric pulses.  The current suppressing element (2) comprises a first electrode (32), a second electrode (31), and a current suppressing layer (33) provided between the first electrode (32) and the second electrode (31).  The current suppressing layer (33) is formed of SiNx wherein 0 < x ≤ 0.85.  When the thickness of the current suppressing layer (33) is d [nm], the relationship between a nitrogen composition ratio x and the layer thickness d is in a range represented by a predetermined conditional equation.
(FR)L'invention porte sur un élément de suppression de courant qui peut empêcher l'apparition d'une perturbation d'écriture, peut permettre à un courant intense de circuler dans un élément à résistance variable, et peut écrire des données sans aucun problème même lorsque des impulsions électriques ayant des polarités différentes sont appliquées. L'invention porte également sur un élément de stockage (3) comprenant un élément à résistance variable (1) qui subit un changement de résistance électrique et conserve la résistance électrique modifiée suite à l'application d'impulsions électriques ayant une polarité positive ou négative, et un élément de suppression de courant (2) qui supprime un courant qui circule dans l'élément à résistance variable (1) suite à l'application des impulsions électriques. L'élément de suppression de courant (2) comprend une première électrode (32), une seconde électrode (31) et une couche de suppression de courant (33) installée entre la première électrode (32) et la seconde électrode (31). La couche de suppression de courant (33) est formée de SiNx où 0 < x ≤ 0,85. En appelant d [nm] l'épaisseur de la couche de suppression de courant (33), la relation entre une proportion de composition d'azote x et l'épaisseur de couche d est incluse dans un intervalle représenté par une équation conditionnelle prédéterminée.
(JA) 極性の異なる電気パルスを印加する場合でも書き込みディスターブの発生を防止することが可能であり、かつ抵抗変化素子に大電流を流すことが可能で、データを問題無く書き込み可能とする電流抑制素子であって、極性が正および負の電気パルスの印加によりその電気抵抗値が変化しかつ該変化した後の電気抵抗値を維持する抵抗変化素子(1)と、抵抗変化素子(1)に電気パルスの印加時に流れる電流を抑制する電流抑制素子(2)とを備える記憶素子(3)であって、電流抑制素子(2)は、第1の電極(32)と、第2の電極(31)と、第1の電極(32)と第2の電極(31)との間に配設された電流抑制層(33)とを備える。電流抑制層(33)が、SiNx(0<x≦0.85)により構成され、かつ、電流抑制層(33)の膜厚をd[nm]としたとき、窒素組成比xと膜厚dとの関係が所定の条件式で示される範囲である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)