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1. (WO2010032459) FILM FORMATION METHOD, FILM FORMATION DEVICE,PIEZOELECTRIC FILM, PIEZOELECTRIC DEVICE AND LIQUID DISCHARGE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/032459    International Application No.:    PCT/JP2009/004658
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 16.09.2009
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), B41J 2/045 (2006.01), B41J 2/055 (2006.01), B41J 2/16 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01), H01L 41/187 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP) (For All Designated States Except US).
FUJII, Takamichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAONO, Takayuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ARAKAWA, Takami [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: FUJII, Takamichi; (JP).
NAONO, Takayuki; (JP).
ARAKAWA, Takami; (JP)
Agent: YANAGIDA, Masashi; (JP)
Priority Data:
2008-241244 19.09.2008 JP
Title (EN) FILM FORMATION METHOD, FILM FORMATION DEVICE,PIEZOELECTRIC FILM, PIEZOELECTRIC DEVICE AND LIQUID DISCHARGE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM, DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM, FILM PIÉZOÉLECTRIQUE, DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF D’ÉVACUATION DE LIQUIDE
Abstract: front page image
(EN)A film formation method is provided, which allows high-level homogenization of film properties, such as composition, in the in-plane direction regardless of composition of a formed film and substrate size. When a film containing constituent elements of a target (T) is formed on a substrate (B) through vapor deposition using plasma with placing the substrate (B) and the target (T) to face each other, variation of plasma potential Vs (V) in the plasma space in the in-plane direction of the substrate (B) is controlled to be within plus or minus 10V at a distance of 2-3 cm from the surface of the target (T) toward the substrate (B). It is preferable that the film formation is carried out with controlling variation of gas pressure in the in-plane direction of the substrate (B) to be within plus or minus 1.5% at the distance of 2-3 cm from the surface of the target (T) toward the substrate (20).
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation de film, qui permet une homogénéisation de niveau élevé de propriétés de film, telle que la composition, dans la direction dans le plan, quelle que soit la composition d'un film formé et la taille d'un substrat. Lorsqu'un film contenant des éléments constitutifs d'une cible (T) est formé sur un substrat (B) par dépôt en phase vapeur à l'aide de plasma, le substrat (B) et la cible (T) étant disposés de façon à ce qu'ils se fassent mutuellement face, la variation d'un potentiel de plasma Vs (V) dans l'espace de plasma dans la direction du plan du substrat (B) est commandée de façon à se trouver dans les limites de plus ou moins 10 V à une distance comprise entre 2 et 3 cm de la surface de la cible (T) vers le substrat (B). Il est préférable que la formation de film soit effectuée à l’aide d’une commande de la variation de pression de gaz dans la direction du plan du substrat (B) de façon à se trouver dans les limites de plus ou moins 1,5 % à la distance comprise entre 2 et 3 cm de la surface de la cible (T) vers le substrat (20).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)