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1. (WO2010032423) METHOD FOR MANUFACTURING III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND LAMP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/032423    International Application No.:    PCT/JP2009/004571
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 14.09.2009
IPC:
H01L 33/00 (2010.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (For All Designated States Except US).
SAKAI, Hiromitsu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HARADA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAKAI, Hiromitsu; (JP).
HARADA, Takeshi; (JP)
Agent: SHIGA, Masatake; (JP)
Priority Data:
2008-237209 16.09.2008 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND LAMP
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS DE NITRURE III, ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS DE NITRURE III ET LUMINAIRE
(JA) III族窒化物半導体発光素子の製造方法、III族窒化物半導体発光素子並びにランプ
Abstract: front page image
(EN)Provided are a method for manufacturing a III nitride semiconductor light emitting element having excellent light emitting characteristics, wherein warpage generated when each layer is formed on a substrate is suppressed and a semiconductor layer including a light emitting layer having excellent crystallinity is formed, the III nitride semiconductor light emitting element, and a lamp.  Specifically, a method for manufacturing a III nitride semiconductor light emitting element, wherein an intermediate layer, a base layer, an n-type contact layer, an n-type clad layer, a light emitting layer, a p-type clad layer and a p-type contact layer are sequentially laminated on a main surface of a substrate is provided.  As the substrate, a substrate having a diameter of 4 inches (100 mm) or more and a warpage quantity (H) within a range of 0.1-30 μm at a room temperature in the warping direction toward the main surface in at least a part of a substrate end section is prepared.  In a state where the intermediate layer is formed on the substrate and then the base layer and the n-type contact layer are formed on the intermediate layer, the x-ray rocking curve half-value width of a (0002) plane is 100 arcsec or less and the x-ray rocking curve half-value width of a (10-10) plane is 300 arcsec or less.  Furthermore, on the n-type contact layer, the n-type clad layer, the light emitting layer, the p-type clad layer and the p-type contact layer are formed.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément électroluminescent à semi-conducteurs de nitrure III ayant d'excellentes caractéristiques d'électroluminescence, qui permet de supprimer le gauchissement généré quand chaque couche est formée sur un substrat et de former une couche de semi-conducteurs comprenant une couche électroluminescente ayant une excellente cristallinité. L’invention concerne également l'élément électroluminescent à semi-conducteurs de nitrure III et un luminaire. L’invention concerne en particulier un procédé pour fabriquer un élément électroluminescent à semi-conducteurs de nitrure III selon lequel une couche intermédiaire, une couche de base, une couche de contact de type n, une couche de placage de type n, une couche électroluminescente, une couche de placage de type p et une couche de contact de type p sont séquentiellement stratifiées sur une surface principale d'un substrat. Comme substrat, on prépare un substrat ayant un diamètre supérieur ou égal à 100 mm (4 pouces) et une quantité de gauchissement (H) dans une plage de 0,1 à 30 μm à température ambiante dans la direction de gauchissement vers la surface principale dans au moins une partie d'une section d'extrémité d'un substrat. Dans un état dans lequel la couche intermédiaire est formée sur le substrat puis la couche de base et la couche de contact de type n sont formées sur la couche intermédiaire, la largeur de demi-valeur de courbe de basculement de rayons x d'un plan (0002) est inférieure ou égale à 100 arcsec, et la largeur de demi-valeur de courbe de basculement de rayons x d'un plan (10-10) est inférieure ou égale à 300 arcsec. En outre, la couche de placage de type n, la couche électroluminescente, la couche de placage de type p et la couche de contact de type p sont formées sur la couche de contact de type n.
(JA) 本発明は、基板上に各層を形成した際の反りを抑制し、結晶性に優れた発光層を含む半導体層が形成でき、発光特性に優れたIII族窒化物半導体発光素子の製造方法、III族窒化物半導体発光素子並びにランプを提供する。具体的に本発明のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法は、基板の主面上に中間層、下地層、n型コンタクト層、n型クラッド層、発光層、p型クラッド層及びp型コンタクト層を順次積層するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、 前記基板として、直径が4inch(100mm)以上であり、室温での反り量Hが、基板端部の少なくとも一部が前記主面側に向かう反り方向で、0.1~30μmの範囲とされた基板を準備し、前記基板上に前記中間層を形成した後、該中間層上に前記下地層及びn型コンタクト層を形成した状態における(0002)面のX線ロッキングカーブ半値幅が100arcsec以下、且つ、(10‐10)面のX線ロッキングカーブ半値幅が300arcsec以下であり、さらに、前記n型コンタクト層の上に、前記n型クラッド層、発光層、p型クラッド層及びp型コンタクト層を形成することを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)