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1. (WO2010032366) METHOD FOR MANUFACTURING LAMINATED WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/032366    International Application No.:    PCT/JP2009/003708
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 04.08.2009
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (For All Designated States Except US).
KOBAYASHI, Norihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AGA, Hiroji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISHIZUKA, Tohru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KOBAYASHI, Norihiro; (JP).
AGA, Hiroji; (JP).
ISHIZUKA, Tohru; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
Priority Data:
2008-241378 19.09.2008 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING LAMINATED WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE STRATIFIÉE
(JA) 貼り合わせウェーハの製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a laminated wafer, comprising forming an ion implanted layer within a bond wafer, laminating an ion implanted surface in the bond wafer onto the surface of a base wafer directly or through a silicon oxide film and subjecting the assembly to peeling-off heat treatment.  In a period between after the ion implanted layer formation and before the lamination, at least one of the surface to be laminated in the bond wafer and the surface to be laminated in the base wafer are subjected to plasma treatment.  In the peel-off heat treatment, the laminated wafer is directly placed within a heat treatment furnace in which the in-furnace temperature is set at a given temperature below 475°C without any temperature raising step and is heat-treated at the given temperature.  According to the method, when a bond wafer of a silicon single crystal is laminated onto a base wafer directly or through a silicon oxide film having a very small thickness of not more than 100 nm, the occurrence of a defect in the thin film of the laminated wafer or a lamination interface can be prevented.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une tranche stratifiée, comprenant la formation d'une couche à implantation ionique à l'intérieur d'une tranche collée, la stratification d'une surface à implantation ionique dans la tranche collée sur la surface d'une tranche de base, directement ou par l'intermédiaire d'un film d'oxyde de silicium, et la soumission de l'ensemble à un traitement thermique de pelage. Dans une période comprise entre après la formation de la couche à implantation ionique et avant la stratification, au moins une de la surface devant être stratifiée dans la tranche collée et de la surface devant être stratifiée dans la tranche de base est soumise à un traitement par plasma. Dans le traitement thermique de pelage, la tranche stratifiée est directement placée dans un four de traitement thermique, la température à l'intérieur du four étant réglée à une température donnée inférieure à 475 °C sans aucune étape d'élévation de température, et est traitée thermiquement à la température donnée. Selon le procédé, lorsqu'une tranche collée d'un monocristal de silicium est stratifiée sur une tranche de base, directement ou par l'intermédiaire d'un film d'oxyde de silicium présentant une très faible épaisseur ne dépassant pas 100 nm, l'apparition d'un défaut dans le film mince de la tranche stratifiée ou d'une interface de stratification peut être empêchée.
(JA) 本発明は、ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接あるいはシリコン酸化膜を介して貼り合わせた後、剥離熱処理を行う貼り合わせウェーハの製造方法において、イオン注入層形成後、貼り合わせの前に、ボンドウェーハとベースウェーハの少なくとも一方の貼り合わせ面に対してプラズマ処理を施し、かつ剥離熱処理は、炉内温度が475℃未満の一定温度に設定された熱処理炉内に貼り合わせたウェーハを昇温工程なしで直接投入し、前記一定温度で熱処理する貼り合わせウェーハの製造方法である。これによって、シリコン単結晶からなるボンドウェーハを、直接あるいは100nm以下と極めて薄いシリコン酸化膜を介してベースウェーハと貼り合わせる際に、貼り合わせウェーハの薄膜や貼り合わせ界面に発生する欠陥を防止できる貼り合わせウェーハの製造方法が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)