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1. (WO2010031924) INTERFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/031924    International Application No.:    PCT/FR2009/001103
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 17.09.2009
IPC:
H01L 41/09 (2006.01), H03H 9/02 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01), H03H 9/64 (2006.01)
Applicants: ETAT FRANÇAIS représenté par le DELEGUE GENERAL POUR L'ARMEMENT [FR/FR]; DGA/D4S/SDGQ/BPI 16 Bis, Avenue Prieur de la Cote d'Or F-94114 Arcueil Cedex (FR) (For All Designated States Except US).
CENTRE NATIONALE DE RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3 rue Michel-Ange F-75794 Cedex 16 (FR) (For All Designated States Except US).
UNIVERSITÉ DE FRANCHE COMTE [FR/FR]; 1 , rue Claude Goudimel F-25030 Besancon (FR) (For All Designated States Except US).
PETIT, Roger [FR/FR]; (FR) (For US Only).
BALLANDRAS, Sylvain [FR/FR]; (FR) (For US Only).
COURJON, Emilie [FR/FR]; (FR) (For US Only).
GACHON, Dorian [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: PETIT, Roger; (FR).
BALLANDRAS, Sylvain; (FR).
COURJON, Emilie; (FR).
GACHON, Dorian; (FR)
Agent: BUREAU DE LA PROPRIETE INTELLECTUELLE DE LA DELEGATION GENERALE POUR L'ARMEMENT; 16 Bis, Avenue Prieur De La Cote D'or F-94114 Arcueil (FR)
Priority Data:
0805124 18.09.2008 FR
Title (EN) INTERFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES D'INTERFACES
Abstract: front page image
(EN)The invention pertains to the field of acoustic wave devices, particularly to that of transducers capable of operating at very high frequencies from some hundreds of MHz up to several GHz, and more particularly relates to an interface acoustic wave device (1) that comprises at least two substrates and a layer (2) made of a ferroelectric material, the latter being provided between a first electrode (3) and a second electrode (4) and including first positive-polarisation domains (7) and second negative-polarisation domains (8), the first and second domains being alternated, wherein said device is characterised in that the assembly comprising the first electrode (3), the ferroelectric material layer (2), and the second electrode (4), is provided between a first substrate (5) and a second substrate (6).
(FR)L'invention concerne le domaine des dispositifs à ondes acoustiques et notamment celui des transducteurs aptes à fonctionner à très hautes fréquences, de quelques centaines de MHz jusqu'à plusieurs GigaHertz et a plus particulièrement pour objet un dispositif à ondes acoustiques d'interfaces (1) comprenant au moins deux substrats et une couche (2) de matériau ferroélectrique, cette dernière étant comprise entre une première électrode (3) et une seconde électrode (4) et comprenant des premiers domaines de polarisation positive (7) et des seconds domaines de polarisation négative (8), ces premiers et seconds domaines étant alternés, ce dispositif étant caractérisé en ce que l'ensemble, constitué par la première électrode (3), la couche (2) de matériau ferroélectrique et la seconde électrode (4), est compris entre un premier substrat (5) et un second substrat (6).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)