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1. (WO2010031748) METHOD OF CHARACTERIZING DIELECTRIC FILMS BY ULTRAVIOLET PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/031748    International Application No.:    PCT/EP2009/061897
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 15.09.2009
IPC:
G01N 23/227 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc, Bâtiment "Le Ponant D" F-75015 Paris (FR) (For All Designated States Except US).
MARTINEZ, Eugénie [FR/FR]; (FR) (For US Only).
GUEDJ, Cyril [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: MARTINEZ, Eugénie; (FR).
GUEDJ, Cyril; (FR)
Agent: ILGART, Jean-Christophe; Brevalex 95, rue d'Amsterdam F-75378 Paris Cedex 8 (FR)
Priority Data:
0856242 17.09.2008 FR
Title (EN) METHOD OF CHARACTERIZING DIELECTRIC FILMS BY ULTRAVIOLET PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
(FR) PROCEDE DE CARACTERISATION DE COUCHES DIELECTRIQUES PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTO-EMISSION ULTRAVIOLETTE
Abstract: front page image
(EN)Method of characterizing a thick dielectric film (3) by ultraviolet photoemission spectroscopy. A DC voltage (V) is applied during the measurement of a photoemission threshold (Es) corresponding to a maximum binding energy of electrons emitted by the film. The measurement is repeated by varying the DC voltage so as to establish fields of less than 107 V/cm through the film (3). The photoemission threshold is measured for each value of the applied voltage, and the photoemission threshold at zero voltage is calculated by regression on a straight line passing through the photoemission thresholds measured as a function of the square root of the voltage.
(FR)Procédé de caractérisation d'une couche diélectrique épaisse (3) par spectroscopique de photo-émission ultraviolette. Une tension continue (V) est appliquée pendant la mesure d'un seuil de photo-émission (Es) correspondant à une énergie de liaison maximale d'électrons émis par la couche. La mesure est répétée en faisant varier la tension continue de manière à instaurer des champs inférieurs à 107 V/cm à travers la couche (3). Le seuil de photo-émission est mesuré pour chaque valeur de la tension appliquée et le seuil de photo-émission à tension nulle est calculé par régression sur une droite regroupant les seuils de photo-émission mesurés en fonction de la racine carrée de la tension.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)