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1. (WO2010031308) FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD FOR WRITING DATA THERETO
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/031308    International Application No.:    PCT/CN2009/073721
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 03.09.2009
IPC:
G06F 12/00 (2006.01)
Applicants: SILICON MOTION, INC. [CN/CN]; Room 9, B, Block, Keji Chuangyeyuan, Tianan Digital City, Futian Shenzhen, Guangdong 518040 (CN) (For All Designated States Except US).
SILICON MOTION, INC. [CN/CN]; Floor 18, Building A, No. 11, Guotai Road, Yangpu District Shanghai 200433 (CN) (For All Designated States Except US).
SILICON MOTION, INC. [CN/CN]; 8F-1, No. 36, Taiyuan St., Jhubei City Hsinchu County 302 Taiwan (CN) (For All Designated States Except US).
LIN, Tsai-Cheng [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: LIN, Tsai-Cheng; (CN)
Agent: SHANGHAI PATENT & TRADEMARK LAW OFFICE, LLC; 435 Guiping Road, Xuhui Shanghai 200233 (CN)
Priority Data:
61/097,627 17.09.2008 US
61/180,168 21.05.2009 US
Title (EN) FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD FOR WRITING DATA THERETO
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE FLASH ET PROCÉDÉ D'ÉCRITURE DE DONNÉES DANS CELUI-CI
Abstract: front page image
(EN)The invention provides a flash memory device. In one embodiment, the flash memory device is coupled to a host, and comprises a multiple-level-cell (M LC) flash memory and a controller. The MLC flash memory comprises a turbo area and a normal area, wherein the turbo area comprises a plurality of first blocks, the normal area comprises a plurality of second blocks, and each of the first blocks and the second blocks comprises a plurality of pages, wherein the pages of the first blocks and the second blocks are divided into strong pages with high data endurance and weak pages with low data endurance. The controller receives data to be written to the MLC flash memory from the host, deter mines whether the data is important data, and writes the data to the strong pages of the first blocks of the turbo area when the data is important data.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de mémoire flash. Dans un mode de réalisation, le dispositif de mémoire flash est couplé à un hôte, et comprend une mémoire flash à cellules à niveaux multiples (MLC) et un contrôleur. La mémoire flash MLC comprend une zone turbo et une zone normale, la zone turbo comprenant une pluralité de premiers blocs, la zone normale comprenant une pluralité de seconds blocs, chacun des premiers blocs et des seconds blocs comprenant une pluralité de pages, les pages des premiers blocs et des seconds blocs étant divisées en des pages fortes à endurance de données élevée et des pages faibles à endurance de données faible. Le contrôleur reçoit des données devant être écrites dans la mémoire flash MLC en provenance de l'hôte, détermine l'importance des données, et écrit les données sur des pages fortes des premiers blocs de la zone turbo lorsque les données sont des données importantes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)