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1. (WO2010031270) REACTOR AND METHOD FOR PRODUCING HIGH-PURITY GRANULAR SILICON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/031270    International Application No.:    PCT/CN2009/072688
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 08.07.2009
IPC:
C01B 33/027 (2006.01), B01J 8/18 (2006.01)
Applicants: CHU, Xi [CN/CN]; (CN)
Inventors: CHU, Xi; (CN)
Agent: LEADER PATENT & TRADEMARK FIRM; 8F-6, Bldg. A, Winland International Center No. 32 Xizhimen North Street Haidian District, Beijing 100082 (CN)
Priority Data:
200810160997.1 16.09.2008 CN
200810187430.3 28.12.2008 CN
200910149144.2 17.06.2009 CN
Title (EN) REACTOR AND METHOD FOR PRODUCING HIGH-PURITY GRANULAR SILICON
(FR) RÉACTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SILICIUM GRANULAIRE DE HAUTE PURETÉ
(ZH) 生产高纯颗粒硅的反应器和方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a reactor and a method for producing high-purity granular silicon. The reactor comprises a reactor chamber; a solid inlet, an attendant gas inlet, a feed gas inlet and a tail gas outlet which are fitted on the reactor chamber, wherein a gas distributor is located in the reactor chamber; the reactor chamber is fitted with preheating means; a tail gas treating means is provided outside the reactor chamber between the preheating means and the gas inlet; the reactor chamber is connected to a surface treating means; the reactor chamber is fitted with a heating means and a motion inducing means. By the reaction of silicon-containing gas in a compact high purity granular silicon bed in motion state and use of the tail gas heat for preheating, it is realized to produce high-purity granular silicon effectively and continuously in reduced energy, large scale and low cost.
(FR)L'invention porte sur un réacteur et un procédé de fabrication de silicium granulaire de haute pureté. Le réacteur comprend une chambre de réacteur; une entrée de matière solide, une entrée de gaz traitant, une entrée de gaz d'alimentation et une sortie de gaz résiduaire qui sont ajustées sur la chambre du réacteur, un distributeur de gaz étant situé dans la chambre du réacteur; la chambre du réacteur est pourvue d'un moyen de préchauffage; un moyen de traitement de gaz résiduaire est pourvu à l'extérieur de la chambre du réacteur entre le moyen de préchauffage et l'entrée de gaz; la chambre du réacteur est reliée à un moyen de traitement de surface; la chambre du réacteur est pourvue d'un moyen de chauffage et d'un moyen provoquant un mouvement. Par la réaction de gaz contenant du silicium dans un lit de silicium granulaire de haute pureté compact en mouvement et l'utilisation de la chaleur du gaz résiduaire pour le préchauffage, on réalise la production du silicium granulaire de haute pureté de façon efficace et en continu avec une énergie réduite, à grande échelle et à faible coût.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)