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1. (WO2010031203) HIGH RESISTIVITY SEMICONDUCTOR RESISTANCE ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/031203    International Application No.:    PCT/CN2008/001619
Publication Date: 25.03.2010 International Filing Date: 16.09.2008
IPC:
H01L 21/00 (2006.01), H01C 7/00 (2006.01)
Applicants: GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION [CN/CN]; No. 818, Guo Shou Jing Road Zhangjiang Hi-Tech Park Shanghai 201203 (CN) (For All Designated States Except US).
GUERRERO, Francisco [MX/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: GUERRERO, Francisco; (DE)
Agent: SHANGHAI ZHI XIN PATENT AGENT LTD.; 26/F, Zhijun Building 1223 Xie Tu Road Shanghai 200032 (CN)
Priority Data:
Title (EN) HIGH RESISTIVITY SEMICONDUCTOR RESISTANCE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE RÉSISTANCE À SEMI-CONDUCTEURS À HAUTE RÉSISTIVITÉ
(ZH) 具有高电阻系数的半导体电阻元件及其制造方法
Abstract: front page image
(EN)A high resistivity semiconductor resistance element and the method thereof, the method includes the following steps: an impedance layer (22) is formed on a semiconductor substrate (20), there are many strip barrier oxidation layers (24) formed on the surface of the impedance layer (22), and there are definite spaces between the strip barrier oxidation layers (24), salicide layers (26) are formed on the impedance layer (22) which contacts the two sides of each strip barrier oxidation layer(24).
(FR)L'invention porte sur un élément de résistance à semi-conducteurs à haute résistivité et sur le procédé associé, le procédé comprenant les étapes suivantes : une couche d'impédance (22) est formée sur un substrat semi-conducteur (20), de nombreuses couches d'oxydation barrières en bande (24) sont formées sur la surface de la couche d'impédance (22), des espaces sont définis entre les couches d'oxydation barrières en bande (24), et des couches de siliciure auto-aligné (26) sont formées sur la couche d'impédance (22) qui est en contact avec les deux côtés de chaque couche d'oxydation barrière en bande (24).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)