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1. (WO2010030438) STENCIL, STENCIL DESIGN SYSTEM AND METHOD FOR CELL PROJECTION PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/030438    International Application No.:    PCT/US2009/051606
Publication Date: 18.03.2010 International Filing Date: 23.07.2009
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/12 (2006.01)
Applicants: D2S, INC. [US/US]; 4040 Moorpark Avenue, #250 San Jose, CA 95117 (US) (For All Designated States Except US).
FUJIMURA, Akira [JP/US]; (US) (For US Only).
MITSUHASHI, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOMURO, Katsuo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: FUJIMURA, Akira; (US).
MITSUHASHI, Takashi; (JP).
KOMURO, Katsuo; (JP)
Agent: MUELLER, Heather; The Mueller Law Office, P.C. 12951 Harwick Lane San Diego, CA 92130 (US)
Priority Data:
12/207,342 09.09.2008 US
Title (EN) STENCIL, STENCIL DESIGN SYSTEM AND METHOD FOR CELL PROJECTION PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY
(FR) POCHOIR, SYSTÈME DE CONCEPTION DE POCHOIR ET PROCÉDÉ POUR UNE LITHOGRAPHIE PAR FAISCEAU DE PARTICULES ET PROJECTION DE CELLULES
Abstract: front page image
(EN)Stencil masks, particle beam lithography characters and methods for designing the same for use in particle beam lithography are disclosed. The masks, characters and methods for designing them allows for more accurately writing images by reducing various chemical and physical effects, particularly Coulomb and proximity effects. Particle current reaching a surface is reduced by introducing shield areas, which preserve the shape and fidelity of the written image. The shape of the written image is further corrected by systematically adjusting the shape of the character or mask.
(FR)La présente invention concerne des masques à pochoir, des caractères de lithographie par faisceau de particules et des procédés pour leur conception, pour une utilisation dans une lithographie par faisceau de particules. Les masques, caractères et procédés pour leur conception permettent d’obtenir des images écrites plus précises par la réduction de divers effets chimiques et physiques, en particulier, des effets de Coulomb et de proximité. Le courant de particules atteignant une surface est réduit par l’introduction de zones-écrans qui conservent la forme et sont fidèles à l’image écrite. La forme de l’image écrite est en outre corrigée par l’ajustement systématique de la forme du caractère ou du masque.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)