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1. (WO2010030110) NAND FLASH MEMORY OF USING COMMON P-WELL AND METHOD OF OPERATING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/030110    International Application No.:    PCT/KR2009/005098
Publication Date: 18.03.2010 International Filing Date: 09.09.2009
IPC:
G11C 16/02 (2006.01)
Applicants: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY [KR/KR]; 17 Haengdang-dong, Seongdong-gu Seoul 133-791 (KR) (For All Designated States Except US).
YOON, Han-Sub [KR/KR]; (KR) (For US Only).
LEE, Jong-Suk [KR/US]; (US) (For US Only).
KWACK, Kae-Dal [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: YOON, Han-Sub; (KR).
LEE, Jong-Suk; (US).
KWACK, Kae-Dal; (KR)
Agent: E-SANG PATENT & TRADEMARK LAW FIRM; 3F. Woodo Bldg. 82-2 Yangjae-dong Seocho-gu Seoul 137-890 (KR)
Priority Data:
10-2008-0089407 10.09.2008 KR
Title (EN) NAND FLASH MEMORY OF USING COMMON P-WELL AND METHOD OF OPERATING THE SAME
(FR) MÉMOIRE FLASH NAND UTILISANT UN PUITS P COMMUN, ET SON PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT
Abstract: front page image
(EN)A flash memory using hot carrier injection and a method of operating the same are provided. A plurality of strings constituting a page are formed on a single p-well and share the p-well. During a program operation, a string selection transistor is turned off, and electrons are accumulated in a source or drain region in response to a bias voltage applied to the p-well. Thereafter, the accumulated electrons are trapped in a charge trap layer of a memory cell in response to a program voltage applied through a word line. Also, during an erase operation, holes accumulated in response to a bias voltage applied to the p-well are trapped in the charge trap layer in response to an erase voltage. The flash memory performs NAND-type program and erase operations using hot carrier injection.
(FR)La présente invention concerne une mémoire flash utilisant l'injection de porteurs chauds, ainsi qu'un procédé de fonctionnement de cette mémoire. Une pluralité de chaînes constituant une page sont formées sur un puits p unique et partagent le puits p. Durant une opération de programmation, un transistor de sélection de chaîne est désactivé, et des électrons s'accumulent dans une région de source ou de drain en réponse à une tension de polarisation appliquée sur le puits p. Ensuite, les électrons accumulés sont piégés dans une couche de piégeage de charge d'une cellule de mémoire en réponse à une tension de programmation appliquée sur une ligne de mots. De plus, durant une opération d'effacement, des trous accumulés en réponse à une tension de polarisation appliquée sur le puits p sont piégés à l'intérieur de la couche de piégeage de charge en réponse à une tension d'effacement. La mémoire flash exécute des opérations de programmation et d'effacement du type NAND par l'injection de porteurs chauds.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)