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1. (WO2010030053) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/030053    International Application No.:    PCT/KR2008/006051
Publication Date: 18.03.2010 International Filing Date: 14.10.2008
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
Applicants: PLUSTEK CO., LTD [KR/KR]; 3103 Korea Photonics Technology Institute Bldg., 971-35 Wolchul-dong, Buk-gu Gwangju 500-460 (KR) (For All Designated States Except US).
CHOI, Yeon Jo [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: CHOI, Yeon Jo; (KR)
Agent: KONG, In Bog; 2F, Bubong Bldg. 735-36 Yeoksam-dong Gangnam-gu Seoul 135-080 (KR)
Priority Data:
10-2008-0089735 11.09.2008 KR
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATION THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTEUR DE LUMIÈRE AU NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a nitride semiconductor light-emitting device, including a substrate, a nitride semiconductor layer including a first conductive layer, an active layer and a second conductive layer located on the substrate, a first electrode formed on the first conductive layer, and a second electrode formed on the second conductive layer, wherein a pattern having one or more protrusions formed at a predetermined interval and concave portions resulting from depression of upper surfaces of the protrusions to a predetermined depth is formed on the surface of the substrate which abuts with the first conductive layer. A method of fabricating the nitride semiconductor light-emitting device is also provided. When the substrate having a pattern with protrusions and concave portions is used, higher light extraction efficiency can be obtained.
(FR)L’invention concerne un dispositif semi-conducteur émetteur de lumière au nitrure, comprenant un substrat, une couche semi-conductrice au nitrure comprenant une première couche conductrice, une couche active et une deuxième couche conductrice située sur le substrat, une première électrode formée sur la première couche conductrice, et une deuxième électrode formée sur la deuxième couche conductrice, dans lequel un motif comportant une ou plusieurs excroissance(s) formée(s) à un intervalle prédéterminé et des portions concaves résultant de dépressions des surfaces supérieures des excroissances à une profondeur prédéterminée est formé sur la surface du substrat qui est appuyé contre la première couche conductrice. L’invention concerne aussi un procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur émetteur de lumière  au nitrure. Lorsque le substrat comportant un motif avec des excroissances et des portions concaves est utilisé, une efficacité supérieure d’extraction de la lumière est obtenue.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Korean (KO)