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1. (WO2010030018) PATTERN FORMING METHOD AND DEVICE PRODUCTION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/030018    International Application No.:    PCT/JP2009/065977
Publication Date: 18.03.2010 International Filing Date: 07.09.2009
IPC:
G03F 7/095 (2006.01)
Applicants: NIKON CORPORATION [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008331 (JP) (For All Designated States Except US).
SHIBAZAKI, Yuichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HIRUKAWA, Shigeru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHIBAZAKI, Yuichi; (JP).
HIRUKAWA, Shigeru; (JP)
Agent: KAWAKITA, Kijuro; YKB Mike Garden, 5-4, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Priority Data:
61/136,511 11.09.2008 US
61/136,512 11.09.2008 US
12/585,079 02.09.2009 US
Title (EN) PATTERN FORMING METHOD AND DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF
Abstract: front page image
(EN)A pattern forming method includes coating, on a wafer W, a negative resist 3 and a positive resist 4 which has a higher sensitivity; exposing the positive resist 4 and the negative resist 3 on the wafer W with an image of a line-and-space pattern; and developing the positive resist 4 and the negative resist 3 in a direction parallel to a normal line of a surface of the wafer W. A fine pattern, which exceeds the resolution limit of an exposure apparatus, can be formed by using the lithography process without performing the overlay exposure.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de motif, qui comprend les étapes consistant à: appliquer sur une tranche W, une couche de résine photosensible négative 3 et une couche de résine photosensible positive 4 présentant une sensibilité supérieure; exposer la résine photosensible 4 et la résine photosensible négative 3 sur la tranche W au moyen d'une image de motif à lignes et à espaces; et développer la résine photosensible positive 4 et la résine photosensible négative 3 dans une direction parallèle à une ligne normale d'une surface de la tranche W. L'invention permet de former un motif fin qui dépasse la limite de résolution d'un dispositif d'exposition, par un procédé lithographique, sans mettre en œuvre d'exposition par recouvrement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)