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Pub. No.:    WO/2010/029876    International Application No.:    PCT/JP2009/065302
Publication Date: 18.03.2010 International Filing Date: 02.09.2009
H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/372 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Applicants: FUJIFILM Corporation [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP) (For All Designated States Except US).
WATANABE, Manjirou [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: WATANABE, Manjirou; (JP)
Agent: MATSUURA, Kenzo; (JP)
Priority Data:
2008-233519 11.09.2008 JP
(JA) 固体撮像装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a solid-state imaging device, wherein a large number of solid-state imaging devices are batch-manufactured at wafer level.  The method is provided with: a step of attaching a mask material (12) to a cover glass wafer (10) provided with a frame-like spacer (5), and then thinning the cover glass wafer (10); a step of peeling the mask material (12) and bonding a first support wafer (14) to the cover glass wafer with a bonding member (16) therebetween; a step of aligning a silicon wafer (18), which has a second support wafer (22) bonded on the rear surface with a bonding member (24) therebetween, with the cover glass wafer (10) and bonding the silicon wafer and the cover glass wafer to each other; a step of dividing the cover glass wafer (10) into pieces of cover glass (4) by using a grind stone (26); and a step of dividing the silicon wafer (18) into pieces by using a grind stone (28).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif d'imagerie à semi-conducteur, ledit procédé contenant un grand nombre de dispositifs d'imagerie à semi-conducteur fabriqués par lot au niveau tranche. Le procédé comprend : une étape de fixation d'un matériau de masque (12) sur une tranche de verre de recouvrement (10) dotée d'un élément d'écartement en forme de cadre (5), l’étape étant ensuite une étape d'affinement de la tranche de verre de recouvrement (10) ; une étape de pelage du matériau de masque (12) et de liaison d'une première tranche de support (14) sur la tranche de verre de recouvrement avec un élément de liaison (16) entre elles ; une étape d'alignement d'une tranche de silicium (18), qui comporte une seconde tranche de support (22) liée sur la surface arrière, avec un élément de liaison (24) entre elles, avec la tranche de verre de recouvrement (10) et de liaison de la tranche de silicium et de la tranche de verre de recouvrement l'une à l'autre ; une étape de division de la tranche de verre de recouvrement (10) en morceaux de verre de recouvrement (4) en utilisant une meule (26) ; et une étape de division de la tranche de silicium (18) en morceaux en utilisant une meule (28).
(JA) 枠状スペーサ(5)を備えたカバーガラスウエハ(10)にマスク材(12)を付与した後、カバーガラスウエハ(10)を薄型化する工程と、マスク材(12)を剥離して、第1のサポートウエハ(14)を貼り合わせ部材(16)を介して貼り合わせる工程と、裏面に貼り合わせ部材(24)を介して第2のサポートウエハ(22)が貼り合わされたシリコンウエハ(18)とカバーガラスウエハ(10)を位置あわせし、接合する工程と、砥石(26)によりカバーガラスウエハ(10)をカバーガラス(4)に個片化する工程と、シリコンウエハ(18)を砥石(28)により個片化する工程と、を備え、ウエハレベルで多数の固体撮像装置を一括して製造する固体撮像装置の製造方法。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)