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1. (WO2010029866) DISPLAY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/029866    International Application No.:    PCT/JP2009/065134
Publication Date: 18.03.2010 International Filing Date: 24.08.2009
IPC:
G09F 9/30 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AKIMOTO, Kengo; (For US Only).
KOMORI, Shigeki; (For US Only).
UOCHI, Hideki; (For US Only).
FUTAMURA, Tomoya; (For US Only).
KASAHARA, Takahiro; (For US Only)
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
AKIMOTO, Kengo; .
KOMORI, Shigeki; .
UOCHI, Hideki; .
FUTAMURA, Tomoya; .
KASAHARA, Takahiro;
Priority Data:
2008-235581 12.09.2008 JP
Title (EN) DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Abstract: front page image
(EN)A protective circuit includes a non-linear element, which further includes a gate electrode, a gate insulating layer covering the gate electrode, a pair of first and second wiring layers whose end portions overlap with the gate electrode over the gate insulating layer and in which a conductive layer and a second oxide semiconductor layer are stacked, and a first oxide semiconductor layer which overlaps with at least the gate electrode and which is in contact with side face portions of the gate insulating layer and the conductive layer of the first wiring layer and the second wiring layer and a side face portion and a top face portion of the second oxide semiconductor layer. Over the gate insulating layer, oxide semiconductor layers with different properties are bonded to each other, whereby stable operation can be performed as compared with Schottky junction. Thus, the junction leakage can be decreased and the characteristics of the non-linear element can be improved.
(FR)La présente invention concerne un circuit de protection incluant un élément non linéaire, qui inclut en outre une électrode de grille, une couche d'isolation de porte couvrant l'électrode de grille, une paire de première et seconde couches de câblage dont les extrémités recouvrent les électrodes de grille au-dessus de la couche d'isolation de grille, et dans lequel une seconde couche d'oxyde semi-conducteur et une couche conductrice sont empilées, et une première couche d'oxyde semi-conducteur qui recouvre au moins l'électrode de grille et qui est en contact avec des parties des faces latérales de la couche d'isolation de porte et la couche conductrice de la première couche de câblage et la seconde couche de câblage et une partie des faces latérales et une partie de face de dessus de la seconde couche d'oxyde semi-conducteur. Au-dessus de la couche d'isolation de porte, des couches d'oxydes semi-conducteurs de différentes propriétés sont liées les unes aux autres, ce qui fait qu'un fonctionnement stable peut être réalisé par comparaison avec la jonction Schottky. Ainsi, la fuite de jonction peut être diminuée, et les caractéristiques de l'élément non linéaire peuvent être améliorées.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)