WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2010029776) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/029776    International Application No.:    PCT/JP2009/051761
Publication Date: 18.03.2010 International Filing Date: 03.02.2009
IPC:
H01L 29/16 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/04 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (For All Designated States Except US).
HARADA, Shin [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TSUMORI, Masato [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HARADA, Shin; (JP).
TSUMORI, Masato; (JP)
Agent: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2008-235303 12.09.2008 JP
Title (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
(JA) 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a silicon carbide semiconductor device comprising a substrate of silicon carbide and an active layer having a reduced defect density provided on the substrate. Also disclosed is a process for producing the silicon carbide semiconductor device. A semiconductor device (1) comprises a substrate (2) of silicon carbide having an off angle to a plane direction {0001} of not less than 50° and not more than 65°, a buffer layer (21), an epitaxial layer (3) as an active layer, a p-type layer (4), and n+ regions (5, 6). The buffer layer (21) is provided on the substrate (2) and is formed of silicon carbide. The active layer is provided on the buffer layer (21) and is formed of silicon carbide. The micropipe density in the active layer is lower than that in the substrate (2). In the active layer, the density of dislocation in which the direction of a burgers vector is [0001] is higher than that in the substrate (2). Regarding film forming conditions in the step of forming the buffer layer (S20), the composition and flow rate of a starting material gas for the formation of the buffer layer (21) are determined so that the ratio of carbon atoms to silicon atoms in the starting material gas, i.e., C/Si ratio, is lower than the C/Si ratio in the step of forming the active layers (3 to 6) (S30).
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur à base de carbure de silicium comprenant un substrat de carbure de silicium et une couche active ayant une densité de défaut réduite fournie sur le substrat. L'invention concerne également un procédé de production du dispositif semi-conducteur à base de carbure de silicium. Un dispositif semi-conducteur (1) comprend un substrat (2) de carbure de silicium présentant un angle de déport par rapport à une direction en plan {0001} qui est supérieur à 50° et n’excède pas 65°, une couche tampon (21), une couche épitaxiale (3) servant de couche active, une couche de type p (4), et des régions n+ (5, 6). La couche tampon (21) est fournie sur le substrat (2) et formée de carbure de silicium. La couche active est prévue sur la couche tampon (21) et formée de carbure de silicium. La densité de microcanal dans la couche active est inférieure à celle du substrat (2). Dans la couche active, la densité de dislocation dans laquelle la direction d'un vecteur de Burgers [0001] est supérieure à celle du substrat (2). En ce qui concerne les conditions de formation du film à l'étape de formation de la couche tampon (S20), la composition et le débit d'une matière première gazeuse pour la formation de la couche tampon (21) sont déterminés de sorte que le rapport atomes de carbone/atomes de silicium dans la matière première gazeuse, à savoir, le rapport C/Si, est inférieur au rapport C/Si à l'étape de formation des couches actives (3 à 6) (S30).
(JA) 炭化ケイ素からなる基板上に欠陥密度の低減された活性層が形成された炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法が得られる。半導体装置(1)は、面方位{0001}に対しオフ角が50°以上65°以下である、炭化ケイ素からなる基板(2)と、バッファ層(21)と、活性層としてのエピタキシャル層(3)、p型層(4)、およびn+領域(5、6)とを備える。バッファ層(21)は、基板(2)上に形成され、炭化ケイ素からなる。活性層は、バッファ層(21)上に形成され、炭化ケイ素からなる。活性層におけるマイクロパイプ密度は基板(2)におけるマイクロパイプ密度より低い。また、活性層における、バーガーズベクトルの向きが[0001]である転位の密度は、基板(2)における当該転位の密度より高い。 前記バッファ層を形成する工程(S20)における成膜条件では、前記バッファ層(21)を形成するための原料ガスにおける珪素原子に対する炭素原子の割合であるC/Si比の値が、前記活性層(3~6)を形成する工程(S30)におけるC/Si比の値より小さくなるように、前記原料ガスの組成および流量が決定されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)