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1. (WO2010029775) NITRIDE SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE, EPITAXIAL WAFER FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/029775    International Application No.:    PCT/JP2009/050992
Publication Date: 18.03.2010 International Filing Date: 22.01.2009
IPC:
H01L 33/00 (2010.01), H01L 21/205 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (For All Designated States Except US).
UENO, Masaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ENYA, Yohei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KYONO, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AKITA, Katsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIZUMI, Yusuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUMITOMO, Takamichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKAMURA, Takao [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: UENO, Masaki; (JP).
ENYA, Yohei; (JP).
KYONO, Takashi; (JP).
AKITA, Katsushi; (JP).
YOSHIZUMI, Yusuke; (JP).
SUMITOMO, Takamichi; (JP).
NAKAMURA, Takao; (JP)
Agent: HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl. 1-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2008-233806 11.09.2008 JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE, EPITAXIAL WAFER FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF OPTIQUE SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE NITRURE, PLAQUETTE ÉPITAXIALE POUR DISPOSITIF OPTIQUE SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE À BASE DE NITRURE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 窒化物系半導体光素子、窒化物系半導体光素子のためのエピタキシャルウエハ、及び半導体発光素子を製造する方法
Abstract: front page image
(EN)A well layer (21) of a nitride semiconductor optical device (LE1) involves strain and extends along a reference plane (SR1) inclined at an inclination angle α with respect to the plane perpendicular to a reference axis extending along the c-axis. The inclination angle α falls in the range from 59° to 80° and in the range from 150° to 180°. A gallium nitride semiconductor layer (P) having a band gap larger than that of the barrier layer is provided adjacently to a light-emitting layer (SP-) having a negative piezoelectric field. The direction of the piezoelectric field in the well layer (W3) is from an n layer to a p layer, and the direction of the piezoelectric field in the gallium nitride semiconductor layer (P) is from the p layer to the n layer. Therefore, a dip not in the conduction band but in the valence band is formed at the interface between the light-emitting layer (SP-) and the gallium nitride semiconductor layer (P).
(FR)L'invention concerne une couche de puits (21) d'un dispositif optique semi-conducteur à base de nitrure (LE1) induisant une déformation et s'étendant le long d'un plan de référence (SR1) incliné à un angle d'inclinaison α par rapport au plan perpendiculaire à un axe de référence s'étendant le long de l'axe c. L'angle d'inclinaison α se trouve dans la plage de 59° à 80° et dans la plage de 150° à 180°. Une couche semi-conductrice à base de nitrure de gallium (P) ayant une largeur de bande interdite supérieure à celle de la couche barrière est fournie de façon adjacente à une couche électroluminescente (SP-) ayant un champ piézoélectrique négatif. La direction du champ piézoélectrique dans la couche de puits (W3) va d'une couche n à une couche p, et la direction du champ piézoélectrique dans la couche semi-conductrice à base nitrure de gallium (P) va de la couche p à la couche n. Par conséquent, une dépression qui n'est pas dans la bande de conduction mais dans la bande de valence se forme à l'interface entre la couche électroluminescente (SP-) et la couche semi-conductrice à base de nitrure de gallium (P).
(JA)窒化物系半導体光素子LE1では、歪みを内包した井戸層21は、c軸方向に延びる基準軸に直交する面に対して傾斜角αで傾斜した基準平面SR1に沿って延びる。傾斜角αは59度より大きく80度未満の範囲及び150度より大きく180度未満の範囲である。負のピエゾ電界を有する発光層SP-に隣接して、障壁層のバンドギャップより大きなバンドギャップを有する窒化ガリウム系半導体層Pが示されている。井戸層W3におけるピエゾ電界の向きはn層からp層への方向であり、窒化ガリウム系半導体層Pにおけるピエゾ電界の向きはp層からn層への方向である。このため、発光層SP-と窒化ガリウム系半導体層Pとの界面には、伝導帯ではなく価電子帯にディップが形成される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)