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Pub. No.:    WO/2010/029700    International Application No.:    PCT/JP2009/004205
Publication Date: 18.03.2010 International Filing Date: 28.08.2009
H01J 37/147 (2006.01), H01J 37/22 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 1-24-14, Nishi Shinbashi, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP) (For All Designated States Except US).
HIROI, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
GUNJI, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MIYAI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NOJIRI, Masaaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HIROI, Takashi; (JP).
GUNJI, Yasuhiro; (JP).
MIYAI, Hiroshi; (JP).
NOJIRI, Masaaki; (JP)
Agent: Polaire I.P.C.; 7-1,Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040032 (JP)
Priority Data:
2008-234270 12.09.2008 JP
(JA) 荷電粒子線装置
Abstract: front page image
(EN)A charged particle beam device is provided with a configuration of irradiating a substrate (6) comprising a circuit pattern with a primary charged particle beam (2), continuously moving the substrate at a constant speed or while increasing or decreasing speed, monitoring a position resulting from the movement, controlling the position of irradiation with the primary charged particle beams according to coordinates on the substrate, detecting the image of a partial region of the substrate at a speed lower than the speed of the movement, detecting a defect candidate on the basis of the detected image, and displaying the detected defect candidate in a map format. Thus, a substrate inspection device using an electron beam which is capable of extracting a defect candidate at a higher speed than ever before can be provided.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à faisceau de particules chargées. Le dispositif possède une configuration permettant : d’irradier un substrat (6) comportant un tracé de circuit avec un faisceau primaire de particules chargées (2); de déplacer de manière continue le substrat à une vitesse constante ou tout en augmentant ou en réduisant la vitesse; de surveiller une position résultant du déplacement; de contrôler la position de l'irradiation avec les faisceaux primaires de particules chargées conformément à des coordonnées sur le substrat; de détecter l'image d'une zone partielle du substrat à une vitesse inférieure à la vitesse du déplacement; de détecter un candidat défectueux sur la base de l'image détectée; et d’afficher le candidat défectueux détecté dans un format carte. Il est ainsi possible de proposer un dispositif d'inspection de substrat utilisant un faisceau d'électrons, qui est apte à extraire un candidat défectueux à une vitesse plus élevée que par le passé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)