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Pub. No.:    WO/2010/029617    International Application No.:    PCT/JP2008/066329
Publication Date: 18.03.2010 International Filing Date: 10.09.2008
G01T 1/24 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01)
Applicants: SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 1, Nishinokyo-Kuwabaracho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048511 (JP) (For All Designated States Except US).
FURUI, Shingo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIMUTA, Toshinori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUZUKI, Junichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WATADANI, Koji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORITA, Satoru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: FURUI, Shingo; (JP).
YOSHIMUTA, Toshinori; (JP).
SUZUKI, Junichi; (JP).
MORITA, Satoru; (JP)
Agent: SUGITANI, Tsutomu; Nishitenma No.11 Matsuya Bldg., 10-8, Nishitenma 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
Priority Data:
(JA) 放射線検出器
Abstract: front page image
(EN)This invention provides a radiation detector comprising a radiation sensitive semiconductor layer, a carrier selective high resistance film, and a hardening synthetic resin film covering a common electrode on its exposed face, wherein, in a production process of the hardening synthetic resin film, a chlorine-free material is used. The above constitution can prevent the formation of pinholes and voids by a chlorine ion in the carrier selective high resistance film and the semiconductor layer. The provision of a protective film impermeable to any ionic substance between the exposed face of the common electrode and the hardening synthetic resin film can also prevent the corrosion of the carrier selective high resistance film by the chlorine ion contained in the hardening synthetic resin film and can prevent an increase in dark current which flows through the semiconductor layer.
(FR)La présente invention porte sur un détecteur de rayonnement comprenant une couche de semi-conducteur sensible aux rayonnements, un film à haute résistance sélectif vis-à-vis de transporteurs de charge et un film de résine synthétique durcissable qui recouvre une électrode commune sur sa face exposée, une matière exempte de chlore étant utilisée dans un procédé de fabrication du film de résine synthétique durcissable. La constitution ci-dessus permet d'empêcher la formation de piqûres et de vides par un ion chlore dans le film à haute résistance sélectif vis-à-vis de transporteurs de charge et la couche de semi-conducteur. Le placement d'un film protecteur imperméable à toute substance ionique entre la face exposée de l'électrode commune et le film de résine synthétique durcissable permet également d'empêcher la corrosion du film à haute résistance sélectif vis-à-vis de transporteurs de charge par l'ion chlore contenu dans le film de résine synthétique durcissable et permet d'empêcher une augmentation du courant d'obscurité qui circule dans la couche de semi-conducteur.
(JA) 本発明の放射線検出器には、放射線感応型の半導体層、キャリア選択性の高抵抗膜、共通電極の露出面上を覆う硬化性合成樹脂膜が、その硬化性合成樹脂膜の製造工程において塩素が混入されないものを用いる。これより、キャリア選択性の高抵抗膜および半導体層が塩素イオンにより、ピンホールおよびボイドが形成されるのを防ぐ。  また、共通電極の露出面上と硬化性合成樹脂膜との間に、イオン性物質を透過させない保護膜を備えることでも、キャリア選択性の高抵抗膜が硬化性合成樹脂膜中に含まれる塩素イオンに腐食されるのを防ぐことができ、半導体層を流れる暗電流の増加を防ぐことができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)