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1. (WO2010029180) REAR CONTACT SOLAR CELL WITH AN INTEGRATED BYPASS DIODE, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/029180    International Application No.:    PCT/EP2009/061946
Publication Date: 18.03.2010 International Filing Date: 15.09.2009
IPC:
H01L 27/142 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01)
Applicants: HARDER, Nils-Peter [DE/DE]; (DE)
Inventors: HARDER, Nils-Peter; (DE)
Agent: MAIWALD PATENTANWALTS GMBH; Elisenhof Elisenstraße 3 80335 München (DE)
Priority Data:
10 2008 047 162.3 15.09.2008 DE
Title (DE) RÜCKKONTAKTSOLARZELLE MIT INTEGRIERTER BYPASS-DIODE SOWIE HERSTELLUNGSVERFAHREN HIERFÜR
(EN) REAR CONTACT SOLAR CELL WITH AN INTEGRATED BYPASS DIODE, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE À CONTACT ARRIÈRE À DIODE SHUNT INTÉGRÉE, ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(DE)Es wird eine Rückkontaktsolarzelle vorgeschlagen, bei der in einem Halbleitersubstrat 1 entlang einer Rückseitenoberfläche Basisbereiche 7, Emitterbereiche 5, Bypassdiodenemitterbereiche 13 und Bypassdiodenbasisbereiche 11 ausgebildet sind. Die Bypassdiodenemitterbereiche und die Bypassdiodenbasisbereiche 13, 11 bilden eine in das Halbleitersubstrat 1 integrierte Bypassdiode und sind von benachbarten Emitter- bzw. Basisbereichen 5, 7 elektrisch getrennt. Emitterkontakte kontaktieren sowohl die Emitterbereiche 5 als auch die Bypassdiodenbasisbereiche 11. Basiskontakte 19 kontaktieren sowohl die Basisbereiche 7 als auch die Bypassdiodenemitterbereiche 13. Aufgrund der integrierten Bypassdiodenbereiche 9 und der entsprechenden Verschaltung mit dem Emitter- und Basiskontakten 19, 21 kann auf diese Weise eine Rückkontaktsolarzelle mit integrierter Bypassdiode in einfacher Weise hergestellt werden.
(EN)The invention proposes a rear contact solar cell in which base regions 7, emitter regions 5, bypass diode emitter regions 13 and bypass diode base regions 11 are formed in a semiconductor substrate 1 along a rear surface. The bypass diode emitter regions and the bypass diode base regions 13, 11 form a bypass diode, which is integrated in the semiconductor substrate 1, and are electrically separated from adjacent emitter and base regions 5, 7. Emitter contacts contact-connect both the emitter regions 5 and the bypass diode base regions 11. Base contacts 19 contact-connect both the base regions 7 and the bypass diode emitter regions 13. The integrated bypass diode regions 9 and the corresponding connection to the emitter and base contacts 19, 21 make it possible to easily produce a rear contact solar cell with an integrated bypass diode in this manner.
(FR)L'invention concerne une cellule solaire à contact arrière, dans laquelle sont configurés, dans un substrat semi-conducteur (1), le long d'une surface côté arrière, des zones de base (7), des zones émettrices (5), des zones émettrices à diodes shunt (13) et des zones de base à diodes shunt (11). Les zones émettrices à diodes shunt et les zones de base à diodes shunt (13, 11) forment une diode shunt intégrée dans le substrat semi-conducteur (1), et sont séparées électriquement des zones émettrices et de base voisines (5, 7). Des contacts d'émetteurs sont amenés en contact avec les zones émettrices (5) ainsi qu'avec les zones de base à diodes shunt (11). Des contacts de base (19) sont amenés en contact avec les zones de base (7), ainsi qu'avec les zones émettrices à diodes shunt (13). En raison des zones à diodes shunt (9) intégrées et du câblage correspondant avec les contacts émetteurs et de base (19, 21), une cellule solaire à contact arrière, à diode shunt intégrée peut être produite de manière simple.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)