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1. (WO2010029161) PATTERNED ELECTRET STRUCTURES AND METHODS FOR MANUFACTURING PATTERNED ELECTRET STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/029161    International Application No.:    PCT/EP2009/061825
Publication Date: 18.03.2010 International Filing Date: 11.09.2009
Chapter 2 Demand Filed:    25.05.2010    
IPC:
H01G 7/02 (2006.01), H04R 19/01 (2006.01)
Applicants: IMEC [BE/BE]; Kapeldreef 75 B-3001 Leuven (BE) (For All Designated States Except US).
LEONOV, Vladimir [RU/BE]; (BE) (For US Only)
Inventors: LEONOV, Vladimir; (BE)
Agent: HERTOGHE, Kris; DenK iP bvba Hundelgemsesteenweg 1114 B-9820 Merelbeke (BE)
Priority Data:
61/096,598 12.09.2008 US
Title (EN) PATTERNED ELECTRET STRUCTURES AND METHODS FOR MANUFACTURING PATTERNED ELECTRET STRUCTURES
(FR) STRUCTURES D'ÉLECTRETS À MOTIF ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE STRUCTURES D'ÉLECTRETS À MOTIF
Abstract: front page image
(EN)A patterned electret structure (21) on a substrate (10) comprises a dielectric structure comprising at least one non-patterned dielectric layer (22), and a charge pattern (14) in the dielectric structure and/or at a surface of a dielectric layer that is part of the dielectric structure and/or at an interface between dielectric layers that are part of the dielectric structure. By the presence of the non-patterned dielectric layer (22), the influence of the presence of a conductive substrate (10) on the charges (14) of the electret structure (21) is alleviated, hence increasing the charge stability over time. Moreover, in embodiments of the present invention, the charge stability is substantially independent of the width (W1, W2, W3) of the charge pattern. A method for manufacturing such patterned electret structure (21) is also provided.
(FR)La présente invention concerne une structure d'électret à motif (21) sur un substrat (10), qui comprend une structure diélectrique comportant au moins les éléments suivants : une couche diélectrique sans motif (22); un motif de charge (14) dans la structure diélectrique et/ou sur une surface d'une couche diélectrique qui fait partie de la structure diélectrique et/ou sur une interface située entre des couches diélectriques qui font partie de la structure diélectrique. En raison de la présence de la couche diélectrique sans motif (22), l'influence de la présence d'un substrat conducteur (10) sur les charges (14) de la structure d'électret (21) est atténuée, ce qui augmente la stabilité de la charge au cours du temps. En outre, dans des modes de réalisation de la présente invention, la stabilité de la charge est sensiblement indépendante de la largeur (W1, W2, W3) du motif de charge. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'une telle structure d'électret à motif (21).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)