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1. (WO2010028171) LOW LEAKAGE AND/OR LOW TURN-ON VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/028171    International Application No.:    PCT/US2009/055922
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 03.09.2009
IPC:
H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: MONOLITHIC POWER SYSTEMS, INC. [US/US]; 6409 Guadalupe Mines Rd San Jose, CA 95120 (US) (For All Designated States Except US).
YOO, Ji-Hyoung [US/US]; (US) (For US Only).
GARNETT, Martin, E. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: YOO, Ji-Hyoung; (US).
GARNETT, Martin, E.; (US)
Agent: NG, Chun, M.; (US)
Priority Data:
61/094,258 04.09.2008 US
Title (EN) LOW LEAKAGE AND/OR LOW TURN-ON VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
(FR) DIODE SCHOTTKY À FAIBLE TENSION DE FUITE ET/OU FAIBLE TENSION DE MISE À L’ÉTAT PASSANT
Abstract: front page image
(EN)A Schottky diode and a method of manufacturing the Schottky diode are disclosed. The Schottky diode has an N-well or N-epitaxial layer with a first region, a second region substantially adjacent to an electron doped buried layer that has a donor electron concentration greater than that of the first region, and a third region substantially adjacent to the anode that has a donor electron concentration that is less than that of the first region. The second region may be doped with implanted phosphorus and the third region may be doped with implanted boron.
(FR)L'invention concerne une diode Schottky et un procédé de fabrication de la diode Schottky. La diode Schottky a une couche de puits N ou une couche épitaxiale N ayant une première région, une deuxième région sensiblement adjacente à une couche enterrée dopée en électrons qui a une concentration en électrons donneurs plus grande que celle de la première région, et une troisième région sensiblement adjacente à l'anode qui a une concentration en électrons donneurs qui est plus petite que celle de la première région. La deuxième région peut être dopée avec du phosphore implanté et la troisième région peut être dopée avec du bore implanté.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)