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1. (WO2010027990) JUNCTION TERMINATION EXTENSION WITH CONTROLLABLE DOPING PROFILE AND CONTROLLABLE WIDTH FOR HIGH-VOLTAGE ELECTRONIC DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/027990    International Application No.:    PCT/US2009/055645
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 02.09.2009
IPC:
H01L 21/302 (2006.01)
Applicants: THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE NAVY [US/US]; Naval Research Laboratory 4555 Overlook Ave, SW Code 1008.2 Washington, DC 20375 (US) (For All Designated States Except US).
IMHOFF, Eugene, A. [US/US]; (US) (For US Only).
KUB, Francis, J. [US/US]; (US) (For US Only).
HOBART, Karl, D. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: IMHOFF, Eugene, A.; (US).
KUB, Francis, J.; (US).
HOBART, Karl, D.; (US)
Agent: RESSING, Amy, L.; (US)
Priority Data:
12/497,721 06.07.2009 US
61/093,738 03.09.2008 US
Title (EN) JUNCTION TERMINATION EXTENSION WITH CONTROLLABLE DOPING PROFILE AND CONTROLLABLE WIDTH FOR HIGH-VOLTAGE ELECTRONIC DEVICES
(FR) EXTENSION DE TERMINAISON DE JONCTION AVEC PROFIL DE DOPAGE CONTRÔLABLE ET LARGEUR CONTRÔLABLE POUR DES DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES HAUTE TENSION
Abstract: front page image
(EN)Methods for producing a junction termination extension surrounding the edge of a cathode or anode junction in a semiconductor substrate, where the junction termination extension has a controlled arbitrary lateral doping profile and a controlled arbitrary lateral width, are provided. A photosensitive material is illuminated through a photomask having a pattern of opaque and clear spaces therein, the photomask being separated from the photosensitive material so that the light diffuses before striking the photosensitive material. After processing, the photosensitive material so exposed produces a laterally tapered implant mask. Dopants are introduced into the semiconductor material and follow a shape of the laterally tapered implant mask to create a controlled arbitrary lateral doping profile and a controlled lateral width in the junction termination extension in the semiconductor.
(FR)L'invention porte sur des procédés de fabrication d'une extension de terminaison de jonction entourant le bord d'une jonction de cathode ou d'anode dans un substrat semi-conducteur, l'extension de terminaison de jonction ayant un profil de dopage latéral arbitraire contrôlé et une largeur latérale arbitraire contrôlée. Un matériau photosensible est éclairé à travers un photomasque ayant un motif d'espaces opaques et clairs dans celui-ci, le photomasque étant séparé du matériau photosensible de telle sorte que la lumière se diffuse avant de frapper le matériau photosensible. Après traitement, le matériau photosensible ainsi exposé produit un masque d'implant latéralement effilé. Des dopants sont introduits dans le matériau semi-conducteur et suivent une forme du masque d'implant latéralement effilé pour créer un profil de dopage latéral arbitraire contrôlé et une largeur latérale contrôlée dans l'extension de terminaison de jonction dans le semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)