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1. (WO2010027962) METHOD OF FORMING A NANOSCALE THREE-DEMENSIONAL PATTERN IN A POROUS SEMICONDUCTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/027962    International Application No.:    PCT/US2009/055590
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 01.09.2009
IPC:
H01L 21/306 (2006.01)
Applicants: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS [US/US]; 352 Henry Administration Building 506 S. Wright Urbana, IL 61801 (US) (For All Designated States Except US).
LI, Xiuling [CN/US]; (US) (For US Only).
RUZIC, David, N. [US/US]; (US) (For US Only).
CHUN, Ik, Su [KR/US]; (US) (For US Only).
CHOW, Edmond, K.C. [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LI, Xiuling; (US).
RUZIC, David, N.; (US).
CHUN, Ik, Su; (US).
CHOW, Edmond, K.C.; (US)
Agent: RITTNER, Mindy, N.; (US)
Priority Data:
61/094,319 04.09.2008 US
Title (EN) METHOD OF FORMING A NANOSCALE THREE-DEMENSIONAL PATTERN IN A POROUS SEMICONDUCTOR
(FR) PROCÉDÉ D'OBTENTION D'UN NANOMOTIF TRIDIMENSIONNEL DANS UN SEMI-CONDUCTEUR POREUX
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a nanoscale three-dimensional pattern in a porous semiconductor includes providing a film comprising a semiconductor material and defining a nanoscale metal pattern on the film, where the metal pattern has at least one lateral dimension of about 100 nm or less in size. Semiconductor material is removed from below the nanoscale metal pattern to create trenches in the film having a depth-to-width aspect ratio of at least about 10: 1, while pores are formed in remaining portions of the film adjacent to the trenches. A three-dimensional pattern having at least one nanoscale dimension is thus formed in a porous semiconductor, which may be porous silicon. The method can be extended to form self-integrated porous low-k dielectric insulators with copper interconnects, and may also facilitate wafer level chip scale packaging integration.
(FR)L'invention concerne un procédé d'obtention d'un nanomotif tridimensionnel dans un semi-conducteur poreux consistant à fournir un film comportant un matériau semi-conducteur et à définir un nanomotif métallique sur le film, le motif métallique présentant au moins une dimension transversale égale ou inférieure à 100 nm. On retire le matériau semi-conducteur situé sous le nanomotif métallique pour créer dans le film des rainures présentant un rapport d'aspect profondeur/largeur au moins égal à 10:1 et l'on forme des pores dans les parties restantes du film qui jouxtent les rainures. On obtient ainsi un motif tridimensionnel présentant au moins une dimension nanométrique dans un semi-conducteur poreux qui peut être du silicium poreux. Le procédé peut être extrapolé pour obtenir des matériaux isolants poreux auto-intégrés à faible constante diélectrique k avec des interconnexions de cuivre et peut également faciliter l'intégration du conditionnement de boîtiers-puces au niveau de la tranche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)