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1. (WO2010027841) HIGH SPEED DEPOSITION OF MATERIALS HAVING LOW DEFECT DENSITY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/027841    International Application No.:    PCT/US2009/055004
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 26.08.2009
IPC:
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: OVSHINSKY INNOVATION [US/US]; Patent Attorney 1050 E. Square Lake Road Bloomfield Hills, Michigan 48304 (US) (For All Designated States Except US).
OVSHINSKY, Stanford [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: OVSHINSKY, Stanford; (US)
Agent: BRAY, Kevin; (US)
Priority Data:
12/199,656 27.08.2008 US
12/199,712 27.08.2008 US
12/199,730 27.08.2008 US
12/199,745 27.08.2008 US
Title (EN) HIGH SPEED DEPOSITION OF MATERIALS HAVING LOW DEFECT DENSITY
(FR) DÉPÔT À HAUTE VITESSE DE MATÉRIAUX PRÉSENTANT UNE FAIBLE DENSITÉ DE DÉFAUTS
Abstract: front page image
(EN)A method and apparatus for the unusually high rate deposition of thin film materials on a stationary or continuous substrate. The method includes the in situ generation of a neutral-enriched deposition medium that is conducive to the formation of thin film materials having a low intrinsic defect concentration at any speed. In one embodiment, the deposition medium is created by forming a plasma from an energy transferring gas; combining the plasma with a precursor gas to form a set of activated species that include ions, ion-radicals, and neutrals; and selectively excluding the species that promote the formation of defects to form the deposition medium. In another embodiment, the deposition medium is created by mixing an energy transferring gas and a precursor gas, forming a plasma from the mixture to form a set of activated species, and selectively excluding the species that promote the formation of defects.
(FR)L’invention concerne un procédé et un appareil pour le dépôt inhabituel à haute vitesse de matériaux en couche mince sur un substrat stationnaire ou continu. Le procédé comprend la génération in situ d’un milieu de dépôt enrichi en substances neutres qui est conducteur pour la formation de matériaux en couche mince présentant une faible concentration de défauts intrinsèques à n’importe quelle vitesse. Dans un mode de réalisation, le milieu de dépôt est créé par la formation d’un plasma à partir d’un gaz de transfert d’énergie ; la combinaison du plasma avec un gaz précurseur pour former un groupe d’espèces activées incluant des ions, des radicaux ioniques et des substances neutres ; et l’exclusion sélective des espèces qui favorisent la formation des défauts pour former le milieu de dépôt. Dans un autre mode de réalisation, le milieu de dépôt est créé par le mélange d’un gaz de transfert d’énergie et d’un gaz précurseur, la formation d’un plasma à partir du mélange pour former un groupe d’espèces activées, et l’exclusion sélective des espèces qui favorisent la formation des défauts.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)