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1. (WO2010027782) MAGNESIOTHERMIC METHODS OF PRODUCING HIGH-PURITY SOLUTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/027782    International Application No.:    PCT/US2009/054889
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 25.08.2009
IPC:
C01B 33/023 (2006.01), C01B 33/04 (2006.01), C01B 33/06 (2006.01), C01B 33/12 (2006.01), C01B 33/143 (2006.01), C01B 33/187 (2006.01), C22B 5/12 (2006.01), C22B 5/18 (2006.01)
Applicants: ORION LABORATORIES, LLC [US/US]; 1133-C Oak Ridge Turnpike, #116 Oak Ridge, TN 37830 (US) (For All Designated States Except US).
BLENCOE, James, G. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BLENCOE, James, G.; (US)
Agent: SLAYDEN, Bruce, W., II; King & Spalding LLP 401 Congress Ave., Suite 3200 Austin, TX 78701 (US)
Priority Data:
61/121,634 11.12.2008 US
61/175,549 05.05.2009 US
61/189,991 25.08.2008 US
61/098,955 22.09.2008 US
61/117,268 24.11.2008 US
61/229,456 29.07.2009 US
61/119,089 02.12.2008 US
61/105,836 16.10.2008 US
61/186,930 15.06.2009 US
61/160,856 17.03.2009 US
Title (EN) MAGNESIOTHERMIC METHODS OF PRODUCING HIGH-PURITY SOLUTION
(FR) PROCÉDÉS MAGNÉSIOTHERMIQUES DE PRODUCTION D'UNE SOLUTION DE PURETÉ ÉLEVÉE
Abstract: front page image
(EN)Magnesiothermic methods of producing solid silicon are provided. In a first embodiment, solid silica and magnesium gas are reacted at a temperature from 400°C to 1000°C to produce solid silicon and solid magnesium oxide, the silicon having a purity from 98.0 to 99.9999%. The silicon is separated from the magnesium oxide using an electrostatic technology. In a second embodiment, the solid silicon is reacted with magnesium gas to produce solid magnesium suicide. The magnesium suicide is contacted with hydrogen chloride gas or hydrochloric acid to produce silane gas. The silane gas is thermally decomposed to produce solid silicon and hydrogen gas, the silicon having a purity of at least 99.9999%. The solid silicon and hydrogen gas are separated into two processing streams. The hydrogen gas is recycled for reaction with chlorine gas to produce hydrogen chloride gas.
(FR)L'invention concerne des procédés magnésiothermiques de production de silicium solide. Dans un premier mode de réalisation, de la silice et du magnésium solides sont amenés à réagir à une température de 400 °C à 1000 °C pour produire du silicium solide et de l'oxyde de magnésium solide, la pureté du silicium étant de 98,0 à 99,9999 %. Le silicium est séparé de l'oxyde de magnésium au moyen d'une technologie électrostatique. Dans un deuxième mode de réalisation, le silicium solide est amené à réagir avec du magnésium gazeux pour produire du siliciure de magnésium solide. Le siliciure de magnésium est mis en contact avec du chlorure d'hydrogène gazeux ou de l'acide chlorhydrique pour produire du silane gazeux. Le silane gazeux est thermiquement décomposé afin de produire du silicium solide et de l'hydrogène gazeux, la pureté du silicium étant d'au moins 99,9999 %. Le silicium solide et l'hydrogène gazeux sont séparés en deux courants de traitement. L'hydrogène gazeux est recyclé pour réagir avec du chlore gazeux afin de produire du chlorure d'hydrogène gazeux.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)