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Pub. No.:    WO/2010/027712    International Application No.:    PCT/US2009/054677
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 21.08.2009
H01L 21/027 (2006.01), H01L 31/042 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
ZHANG, Zhenhua [CN/US]; (US) (For US Only).
RANA, Virendra, V.s. [US/US]; (US) (For US Only).
SHAH, Vinay, K. [US/US]; (US) (For US Only).
EBERSPACHER, Chris [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ZHANG, Zhenhua; (US).
RANA, Virendra, V.s.; (US).
SHAH, Vinay, K.; (US).
Agent: PATTERSON, B., Todd; (US)
Priority Data:
61/092,044 26.08.2008 US
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the present invention generally provide methods and apparatus for material removal using lasers in the fabrication of solar cells. In one embodiment, an apparatus is provided that precisely removes portions of a dielectric layer deposited on a solar cell substrate according to a desired pattern and deposits a conductive layer over the patterned dielectric layer. In one embodiment, the apparatus also removes portions of the conductive layer in a desired pattern. In certain embodiments, methods for removing a portion of a material via a laser without damaging the underlying substrate are provided. In one embodiment, the intensity profile of the beam is adjusted so that the difference between the maximum and minimum intensity within a spot formed on a substrate surface is reduced to an optimum range. In one example, the substrate is positioned such that the peak intensity at the center versus the periphery of the substrate is lowered. In one embodiment, the pulse energy is improved to provide thermal stress and physical lift-off of a desired portion of a dielectric layer.
(FR)Des modes de réalisation de la présente invention concernent généralement des procédés et un appareil permettant d’éliminer un matériau par laser dans la fabrication de cellules solaires. Un mode de réalisation propose un appareil permettant d’éliminer avec précision des parties d’une couche diélectrique déposée sur un substrat de cellule solaire selon un profil souhaité et de déposer une couche conductrice sur la couche diélectrique profilée. Dans un mode de réalisation, l’appareil permet également d’éliminer des parties de la couche conductrice selon un profil souhaité. Certains modes de réalisation proposent des procédés permettant d’éliminer une partie d’un matériau par laser sans endommager le substrat sous-jacent. Dans un mode de réalisation, le profil d’intensité du faisceau est ajusté pour que la différence entre l’intensité maximale et l’intensité minimale à l’intérieur d’un spot formé sur la surface d’un substrat soit réduite à une plage optimale. Dans un exemple, le substrat est positionné de manière à ce que l’intensité maximale au centre par rapport à la périphérie du substrat soit diminuée. Dans un mode de réalisation, l’énergie d’impulsion est renforcée pour fournir une contrainte thermique et permettre l’élimination physique d’une partie souhaitée d’une couche diélectrique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)