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1. (WO2010027650) LIGHT SOURCE WITH IMPROVED MONOCHROMATICITY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/027650    International Application No.:    PCT/US2009/054149
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 18.08.2009
Chapter 2 Demand Filed:    30.06.2010    
IPC:
H01L 33/04 (2010.01), H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01), H01L 33/06 (2010.01)
Applicants: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY [US/US]; 3M Center Post Office Box 33427 Saint Paul, MN 55133-3427 (US) (For All Designated States Except US).
LEATHERDALE, Catherine, A. [CA/US]; (US) (For US Only).
BALLEN, Todd, A. [US/US]; (US) (For US Only).
MILLER, Thomas, J. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LEATHERDALE, Catherine, A.; (US).
BALLEN, Todd, A.; (US).
MILLER, Thomas, J.; (US)
Agent: MOSHREFZADEH, Robert, S.; 3M Center Office of Intellectual Property Counsel Post Office Box 33427 Saint Paul, MN 55133-3427 (US)
Priority Data:
61/094,192 04.09.2008 US
Title (EN) LIGHT SOURCE WITH IMPROVED MONOCHROMATICITY
(FR) SOURCE DE LUMIÈRE À MONOCHROMATICITÉ AMÉLIORÉE
Abstract: front page image
(EN)Light emitting systems are disclosed. The light emitting system includes an LED that emits light at a first wavelength and includes a pattern that enhances emission of light from a top surface of the LED and suppresses emission of light from one or more sides of the LED. The light emitting system further includes a re-emitting semiconductor construction that includes a II-VI potential well. The re-emitting semiconductor construction receives the first wavelength light that exits the LED and converts at least a portion of the received light to light of a second wavelength. The integrated emission intensity of all light at the second wavelength that exit the light emitting system is at least 4 times the integrated emission intensity of all light at the first wavelength that exit the light emitting system.
(FR)L'invention concerne des systèmes d'émission de lumière. Le système d'émission de lumière de l'invention comprend une DEL qui émet la lumière à une première longueur d'onde et comporte un motif qui améliore l'émission de lumière depuis une surface supérieure de celle-ci et supprime l'émission de lumière depuis au moins un des côtés de la DEL. Le système d'émission de lumière comprend également une structure à semi-conducteurs à ré-émission qui comprend un puits de potentiel II-VI. La structure à semi-conducteurs à ré-émission reçoit la lumière de la première longueur d'onde qui sort de la DEL et convertit au moins une partie de la lumière reçue en une lumière d'une seconde longueur d'onde. L'intensité d'émission intégrée de toute la lumière de la seconde longueur d'onde qui sort du système d'émission de lumière est d'au moins quatre fois l'intensité d'émission intégrée de toute la lumière de la première longueur d'onde qui sort du système d'émission de lumière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)