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1. (WO2010027649) MONOCHROMATIC LIGHT SOURCE WITH HIGH ASPECT RATIO
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/027649    International Application No.:    PCT/US2009/054145
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 18.08.2009
Chapter 2 Demand Filed:    30.06.2010    
IPC:
H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01), H01L 33/10 (2010.01)
Applicants: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY [US/US]; 3M Center Post Office Box 33427 Saint Paul, MN 55133-3427 (US) (For All Designated States Except US).
LEATHERDALE, Catherine, A. [CA/US]; (US) (For US Only).
HAASE, Michael, A. [US/US]; (US) (For US Only).
BALLEN, Todd, A. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LEATHERDALE, Catherine, A.; (US).
HAASE, Michael, A.; (US).
BALLEN, Todd, A.; (US)
Agent: MOSHREFZADEH, Robert, S.; 3M Center Office of Intellectual Property Counsel Post Office Box 33427 Saint Paul, MN 55133-3427 (US)
Priority Data:
61/094,180 04.09.2008 US
Title (EN) MONOCHROMATIC LIGHT SOURCE WITH HIGH ASPECT RATIO
(FR) SOURCE DE LUMIÈRE MONOCHROMATIQUE À RAPPORT D'ASPECT ÉLEVÉ
Abstract: front page image
(EN)Light emitting systems are disclosed. The light emitting system includes an LED that emits light at a first wavelength. A primary portion of the emitted first wavelength light exits the LED from a top surface of the LED that has a minimum lateral dimension Wmin. The remaining portion of the emitted first wavelength light exits the LED from one or more sides of the LED that has a maximum edge thickness Tmax (122, 124). The ratio Wmin/Tmax is at least 30. The ligth emitting system further includes a re-emitting semiconductor construction that includes a semiconductor potential well. The re-emitting semiconductor construction receives the first wavelength light that exits the LED from the top surface and converts at least a portion of the received light to light of a second wavelength. The integrated emission intensity of all light at the second wavelength that exit the light emitting system is at least 4 times the integrated emission intensity of all light at the first wavelength that exit the light emitting system.
(FR)L'invention concerne des systèmes d'émission de lumière et notamment un système d'émission de lumière qui comprend une DEL qui émet la lumière à une première longueur d'onde. Une partie primaire de la lumière émise à une première longueur d'onde sort de la DEL par une surface supérieure de celle-ci ayant une dimension latérale minimum Wmin. La partie restante de la lumière émise à une première longueur d'onde sort de la DEL par au moins un des côtés de celle-ci ayant une épaisseur maximum Tmax (122, 124). Le rapport Wmin/Tmax est d'au moins 30. Le système d'émission de lumière comprend également une structure à semi-conducteurs de ré-émission qui comporte un puits de potentiel à semi-conducteurs. La structure à semi-conducteurs de ré-émission reçoit la lumière à une première longueur d'onde qui sort de la DEL par la surface supérieure de celle-ci et convertit au moins une partie de la lumière reçue en lumière d'une seconde longueur d'onde. L'intensité d'émission intégrée de toute la lumière à la seconde longueur d'onde qui émane du système d'émission de lumière est d'au moins 4 fois l'intensité d'émission intégrée de toute la lumière à la première longueur d'onde qui émane du système d'émission de lumière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)