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1. (WO2010027580) LIGHT SOURCE HAVING LIGHT BLOCKING COMPONENTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/027580    International Application No.:    PCT/US2009/051914
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 28.07.2009
IPC:
H01L 33/50 (2010.01)
Applicants: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY [US/US]; 3M Center Post Office Box 33427 Saint Paul, MN 55133-3427 (US) (For All Designated States Except US).
LEATHERDALE, Catherine, A. [CA/US]; (US) (For US Only).
HAASE, Michael, A. [US/US]; (US) (For US Only).
BALLEN, Todd, A. [US/US]; (US) (For US Only).
MILLER, Thomas, J. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LEATHERDALE, Catherine, A.; (US).
HAASE, Michael, A.; (US).
BALLEN, Todd, A.; (US).
MILLER, Thomas, J.; (US)
Agent: MOSHREFZADEH, Robert, S.; (US)
Priority Data:
61/094,197 04.09.2008 US
Title (EN) LIGHT SOURCE HAVING LIGHT BLOCKING COMPONENTS
(FR) SOURCE DE LUMIÈRE POSSÉDANT DES COMPOSANTS BLOQUANT LA LUMIÈRE
Abstract: front page image
(EN)Light emitting systems are disclosed. The light emitting system includes an electroluminescent device that emits light at a first wavelength from a top surface of the electroluminescent device. The light emitting system further includes a construction proximate a side of the electroluminescent device for blocking light at the first wavelength that would otherwise exit the side. The light emitting system further includes a re-emitting semiconductor construction that includes a II-VI potential well. The re-emitting semiconductor construction receives the first wavelength light that exits the electroluminescent device and converts at least a portion of the received light to light of a second wavelength. The integrated emission intensity of all light at the second wavelength that exit the light emitting system is at least 4 times the integrated emission intensity of all light at the first wavelength that exit the light emitting system.
(FR)L'invention concerne des systèmes d'émission de lumière. Le système d'émission de lumière de l'invention comprend un dispositif électroluminescent qui émet la lumière à une première longueur d'onde depuis sa surface supérieure. Le système d'émission de lumière comprend également une structure proche d'un côté du dispositif électroluminescent pour bloquer la lumière à la première longueur d'onde qui, sinon, sortirait par ce côté. Le système d'émission de lumière comprend en outre une structure à semi-conducteurs à ré-émission qui comporte un puits de potentiel II-VI. La structure à semi-conducteurs à ré-émission reçoit la lumière à la première longueur d'onde qui sort du dispositif électroluminescent et convertit au moins une partie de la lumière reçue en une lumière d'une seconde longueur d'onde. L'intensité d'émissions intégrée de toute la lumière à la seconde longueur d'onde qui sort du système d'émission de lumière est d'au moins quatre fois l'intensité d'émission intégrée de toute la lumière à la première longueur d'onde qui sort du système d'émission de lumière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)