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1. (WO2010026998) REFLECTIVE MASK BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/026998    International Application No.:    PCT/JP2009/065360
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 02.09.2009
IPC:
H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (For All Designated States Except US).
IKUTA, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: IKUTA, Yoshiaki; (JP)
Agent: SENMYO, Kenji; (JP)
Priority Data:
2008-227909 05.09.2008 JP
Title (EN) REFLECTIVE MASK BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) EBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT POUR LITHOGRAPHIE EUV ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are an EUV mask in which the impact of EUV light reflected on the surface of an absorption film at the outer circumference of a mask pattern region is minimized when EUV lithography is performed, an EUV mask blank for use in the production of the EUV mask, and a method for producing the EUV mask blank. Specifically disclosed is a method for producing a reflective mask blank for EUV lithography (EUVL), wherein a multilayer reflective film reflecting EUV light is formed by depositing at least a high refractive index film and a low refractive index film alternately on a substrate, and then an absorption film for absorbing EUV light is formed on the multilayer reflective film.  The method is characterized by heating, after the multilayer reflective film is formed, that part of the surface of the multilayer reflective film which is on the outside of a part to become a mask pattern region in a reflective mask for EUV lithography produced by using a reflective mask blank for EUVL, to thereby lower the reflectivity of EUV light in the heated part on the surface of the multilayer reflective film.
(FR)L’invention concerne un masque EUV grâce auquel l’impact de la lumière EUV réfléchie sur la surface d’un film d’absorption à la circonférence externe d’une partie du masque comportant des motifs est minimisé lorsque l’on effectue une lithographie EUV. L’invention concerne également une ébauche de masque EUV que l’on utilise dans la production d’un masque EUV, ainsi qu’un procédé de production d’ébauche de masque EUV. L’invention concerne plus précisément un procédé de production d’une ébauche de masque réfléchissant pour lithographie EUV. Un film réfléchissant multicouche qui réfléchit la lumière EUV est formé en déposant au moins un film ayant un indice de réfraction élevé et un film ayant un indice de réfraction faible en alternance sur un substrat, après quoi un film d’absorption absorbant la lumière EUV est formé sur le film réfléchissant multicouche. Le procédé est caractérisé en ce que, une fois le film réfléchissant multicouche formé, on chauffe la partie du film réfléchissant multicouche qui se situe à l’extérieur d’une partie et qui doit devenir une région à motifs de masque dans un masque réfléchissant pour lithographie EUV, produit à partir d’une ébauche de masque réfléchissant pour lithographie EUV, afin d’abaisser ainsi la réflectivité de la lumière EUV dans la partie chauffée à la surface du film réfléchissant multicouche.
(JA) EUVリソグラフィを実施する際に、マスクパターン領域の外周部の吸収膜表面からのEUV反射光による影響が抑制されたEUVマスク、および、該EUVマスクの製造に用いるEUVマスクブランク、ならびに、該EUVマスクブランクの製造方法の提供。  基板上に、少なくとも高屈折率膜と低屈折率膜を交互に積層させEUV光を反射する多層反射膜を成膜し、該多層反射膜上にEUV光を吸収する吸収膜を成膜するEUVリソグラフィ(EUVL)用反射型マスクブランクの製造方法であって、  前記多層反射膜を成膜後、前記多層反射膜表面のうち、EUVL用反射型マスクブランクを用いて作製されるEUVリソグラフィ用反射型マスクにおいてマスクパターン領域となる部位よりも外側の部位を加熱することにより、前記多層反射膜表面のうち加熱された部位におけるEUV光の反射率を低下させることを特徴とするEUVL用反射型マスクブランクの製造方法。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)