WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2010026981) LIQUID FOR PROTECTING COPPER WIRING SURFACE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CIRCUIT ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/026981    International Application No.:    PCT/JP2009/065319
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 02.09.2009
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMADA, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIMADA, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUNAGA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YAMADA, Kenji; (JP).
SHIMADA, Kenji; (JP).
MATSUNAGA, Hiroshi; (JP)
Agent: OHTANI, Tamotsu; (JP)
Priority Data:
2008-229866 08.09.2008 JP
2008-257200 02.10.2008 JP
Title (EN) LIQUID FOR PROTECTING COPPER WIRING SURFACE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CIRCUIT ELEMENT
(FR) LIQUIDE POUR PROTÉGER UNE SURFACE DE CÂBLAGE EN CUIVRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 銅配線表面保護液および半導体回路素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a liquid for protecting a copper wiring material surface that is used in the production of a semiconductor circuit element including copper wiring and comprises an aqueous solvent and acetylene alcohols including at least 3-phenyl-2-propyn-1-ol.  Also disclosed is a method for manufacturing a semiconductor circuit element, comprising forming an insulating film and/or a diffusion preventive film on a silicon substrate, then forming a copper film by sputtering, further forming a copper film or a copper alloy film containing not less than 80% by mass of copper by plating on the copper film, and then flattening the assembly by chemical mechanical polishing (CMP) to form a semiconductor substrate including copper wiring.  In the method, the semiconductor substrate having an exposed copper wiring material surface is subjected to liquid contact treatment with the liquid for protecting a copper wiring material surface.
(FR)L'invention porte sur un liquide pour protéger une surface de matériau de câblage en cuivre, qui est utilisé dans la fabrication d'un élément de circuit à semi-conducteurs comprenant un câblage en cuivre et qui comprend un solvant aqueux et des alcools d'acétylène comprenant au moins le 3-phényl-2-propyn-1-ol. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un élément de circuit à semi-conducteurs, comprenant la formation d'un film isolant et/ou d'un film anti-diffusion sur un substrat en silicium, puis la formation d'un film en cuivre par pulvérisation cathodique, puis en outre la formation d'un film en cuivre ou d'un film en alliage de cuivre contenant pas moins de 80 % en masse de cuivre par placage sur le film en cuivre, puis l'aplanissement de l'ensemble par un polissage chimico-mécanique (CMP) pour former un substrat semi-conducteur comprenant un câblage en cuivre. Dans le procédé, le substrat semi-conducteur ayant une surface de matériau de câblage en cuivre exposée est soumis à un traitement de contact avec un liquide avec le liquide pour protéger une surface de matériau de câblage en cuivre.
(JA) 銅配線を含む半導体回路素子の製造において使用され、水系溶媒と、少なくとも3-フェニル-2-プロピン-1-オールを含むアセチレンアルコール類とからなる銅配線材料表面保護液を提供する。また、シリコン基板上に絶縁膜および/または拡散防止膜を成膜後、スパッタ法により銅膜を成膜し、さらにその上に銅または銅を80質量%以上含んだ銅合金膜をメッキ法により成膜後、化学的機械研磨(CMP)により平坦化した銅配線を含む半導体基板を形成する半導体回路素子の製造において、銅配線材料表面が露出した半導体基板を上記銅配線材料表面保護液で接液処理する半導体回路素子の製造方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)