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1. (WO2010026923) STORAGE ELEMENT AND STORAGE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/026923    International Application No.:    PCT/JP2009/065054
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 28.08.2009
IPC:
H01L 27/10 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP) (For All Designated States Except US).
MIZUGUCHI Tetsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YASUDA Shuichiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SASAKI Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMADA Naomi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MIZUGUCHI Tetsuya; (JP).
YASUDA Shuichiro; (JP).
SASAKI Satoshi; (JP).
YAMADA Naomi; (JP)
Agent: FUJISHIMA Youichiro; (JP)
Priority Data:
2008-224711 02.09.2008 JP
Title (EN) STORAGE ELEMENT AND STORAGE DEVICE
(FR) ELÉMENT DE STOCKAGE ET DISPOSITIF DE STOCKAGE
(JA) 記憶素子および記憶装置
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a storage element that can simultaneously satisfy the number of times of repetitive operations and low-voltage operating characteristics that are in a trade-off relationship.  A high-resistivity layer (4) and an ion source layer (5) are provided between a lower electrode (3) and an upper electrode (6).  The high-resistivity layer (4) comprises a Te-containing oxide.  Elements other than Te, for example, Al and any of Zr, Ta, Hf, Si, Ge, Ni, Co, Cu, and Au, may be added to the high-resistivity layer (4).  When the high-resitivity layer (4) is formed of Te to which Al and further Cu and Zr have been added, the composition ratio of the high-resistivity layer (4), excluding oxygen, is preferably regulated to the following range: 30 ≤ Te ≤ 100 atomic%, 0 ≤ Al ≤ 70 atomic%, and 0 ≤ Cu + Zr ≤ 36 atomic%.  The ion source layer (5) comprises at least one metallic element and at least one chalcogen element selected from Te, S, and Se.
(FR)L’invention concerne un élément de stockage qui permet de garantir l’exécution d’opérations répétitives un certain nombre de fois et qui peut satisfaire les caractéristiques de fonctionnement à basse tension que l’on retrouve dans les relations de compromis. Une couche à haute résistivité (4) et une couche source d’ions (5) sont disposées entre une électrode inférieure (3) et une électrode supérieure (6). La couche à haute résistivité (4) comprend un oxyde contenant Te. Des éléments autres que Te, comme Al ou l’un quelconque des éléments suivants Zr, Ta, Hf, Si, Ge, Ni, Co, Cu et Au, peuvent être ajoutés à la couche à haute résistivité (4). Lorsque la couche à haute résistivité (4) est faite de Te auquel Al, Cu et Zr ont été ajoutés, le rapport de composition de la couche à haute résistivité (4), hormis l’oxygène, varie de préférence dans la plage suivante : 30 ≤ Te ≤ 100 % atomique, 0 ≤ Al ≤ 70 % atomique, et 0 ≤ Cu + Zr ≤ 36 % atomique. La couche source d’ions (5) comprend au moins un élément métallique et au moins un élément chalcogène choisi parmi Te, S et Se.
(JA) トレードオフの関係にある繰り返し動作回数と低電圧動作特性とを同時に満足させることの可能な記憶素子を提供する。下部電極3と上部電極6の間に高抵抗層4とイオン源層5とを備える。高抵抗層4は、Teを含む酸化物から構成されている。Te以外の他の元素、例えばAlや、Zr,Ta,Hf,Si,Ge,Ni,Co,CuおよびAuのいずれかを添加してもよい。TeにAlを添加し、更にCuおよびZrを加えたものとする場合、高抵抗層4の組成比は、酸素を除いて、30≦Te≦100原子%、0≦Al≦70原子%、および0≦Cu+Zr≦36原子%の範囲で調整することが望ましい。イオン源層5は、少なくとも一種の金属元素と、Te,SおよびSeのうち少なくとも一種類のカルコゲン元素とから構成される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)