WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2010026899) SUBSTRATE WITH TRANSPARENT ELECTRODE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH TRANSPARENT ELECTRODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/026899    International Application No.:    PCT/JP2009/064863
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 26.08.2009
IPC:
H01B 13/00 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01), G06F 3/041 (2006.01), G06F 3/045 (2006.01), H01B 5/14 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288 (JP) (For All Designated States Except US).
KUCHIYAMA Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAMOTO Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KUCHIYAMA Takashi; (JP).
YAMAMOTO Kenji; (JP)
Agent: FUJITA Takashi; (JP)
Priority Data:
2008-227184 04.09.2008 JP
2008-254123 30.09.2008 JP
2009-010318 20.01.2009 JP
2009-086022 31.03.2009 JP
Title (EN) SUBSTRATE WITH TRANSPARENT ELECTRODE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH TRANSPARENT ELECTRODE
(FR) SUBSTRAT À ÉLECTRODE TRANSPARENTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT À ÉLECTRODE TRANSPARENTE
(JA) 透明電極付き基板および透明電極付き基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a substrate with a transparent electrode that can solve problems associated with conventional substrates with a transparent electrode, namely problems wherein, in thin films of zinc oxide transparent electroconductive oxide, the electrical resistivity is easily increased due to air or moisture making it difficult to use the thin film as a substrate with a transparent electrode and problems wherein, although doping can suppress the increase in the electrical resistivity to some extent, the doping poses problems in terms of the selection of the type and amount of doping agents and an doping-derived increase in initial electrical resistivity. A substrate with a transparent electrode which has stable electrical resistivity under various environments can be manufactured by magnetron sputtering using a target comprising zinc oxide transparent electroconductive oxide and 0.50 to 2.75% by weight of silicon dioxide added thereto.
(FR)L'invention porte sur un substrat comportant une électrode transparente qui peut résoudre des problèmes apparaissant dans le substrat classique comportant une électrode transparente, à savoir un problème selon lequel, dans un film mince d'oxyde électroconducteur transparent à l'oxyde de zinc, la résistivité électrique augmente facilement en raison de l'air ou de l'humidité, ce qui rend difficile d'utiliser le film mince en tant que substrat à électrode transparente et un problème selon lequel, bien qu'un dopage puisse supprimer l'augmentation de la résistivité électrique dans une certaine mesure, le dopage pose des problèmes de sélection du type et de la quantité d'agents dopants et d'augmentation de la résistivité électrique initiale due au dopage. Un substrat à électrode transparente qui présente une résistivité électrique stable dans divers environnements peut être fabriqué par pulvérisation magnétron en utilisant une cible comprenant un oxyde électroconducteur transparent à l'oxyde de zinc et de 0,50 à 2,75 % en poids de dioxyde de silicium ajouté à celui-ci.
(JA) 酸化亜鉛透明導電性酸化物は薄膜では空気や水分により容易に抵抗率が上昇してしまい、透明電極付き基板として使用することが難しかった。ドーピングにより抵抗上昇をある程度は抑制することができるが、ドーピング剤の種類と量をどのように選択するかとか、ドーピングにより初期抵抗が高くなるなどの問題があった。  酸化亜鉛透明導電性酸化物に二酸化珪素を0.50~2.75重量%添加したターゲットを用いたマグネトロンスパッタリングにより透明電極付き基板を作製することで、種々の環境に対して抵抗率が安定した透明電極付き基板を作製することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)