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1. (WO2010026867) ELECTRON BEAM DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/026867    International Application No.:    PCT/JP2009/064391
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 17.08.2009
IPC:
H01J 37/295 (2006.01), H01J 37/24 (2006.01), H01J 37/26 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (For All Designated States Except US).
HARADA, Ken [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KASAI, Hiroto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUGAWARA, Akira [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HARADA, Ken; (JP).
KASAI, Hiroto; (JP).
SUGAWARA, Akira; (JP)
Agent: TSUTSUI, Yamato; (JP)
Priority Data:
2008-224246 02.09.2008 JP
Title (EN) ELECTRON BEAM DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU D'ÉLECTRONS
(JA) 電子線装置
Abstract: front page image
(EN)An electron beam device comprises an objective lens (5), biprisms (91, 95), and the like and can configure multiple interference optical systems.  Conditions of the interference optical system of the electron beam device are automatically constructed and set to a proper state by a user simply inputting parameters such as an interference fringe interval (s) and an interference region width (w) of an interference microscope image. Thus, the electron beam device which enables versatile observation of the interference microscope image can be provided for users of various technical levels.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à faisceau d'électrons qui comporte une lentille de focalisation (5), des bi-prismes (91, 95) et autres, et qui peut configurer de multiples systèmes optiques d'interférence. Des conditions du système optique d'interférence du dispositif à faisceau d'électrons sont automatiquement construites et réglées à un état correct par un utilisateur entrant simplement des paramètres tels qu'un intervalle de franges d'interférence (s) et une largeur de région d'interférence (w) d'une image de microscope à interférence. Ainsi, le dispositif à faisceau d'électrons qui permet une observation polyvalente de l'image de microscope à interférence peut être fourni pour des utilisateurs de divers niveaux techniques.
(JA) 本発明の電子線装置は、対物レンズ(5)や、バイプリズム(91、95)等を有し、複数の干渉光学系を構成することができる。そして、ユーザが干渉縞間隔(s)と干渉領域幅(w)等の干渉顕微鏡像のパラメータを入力するだけで、前記電子線装置の干渉光学系の条件が自動的に構築され、適切な状態に設定される。 これにより、広汎な技術レベルのユーザに対して、干渉顕微鏡像を汎用的に観察可能な電子線装置を提供できるようになった。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)