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1. (WO2010026865) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/026865    International Application No.:    PCT/JP2009/064369
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 10.08.2009
IPC:
H01L 27/10 (2006.01), G11C 17/14 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
KOYAMA, Jun [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MIYAGUCHI, Atsushi; (For US Only)
Inventors: KOYAMA, Jun; (JP).
MIYAGUCHI, Atsushi;
Priority Data:
2008-227769 05.09.2008 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)An anti-fuse memory device includes a plurality of word lines, a plurality of bit lines, and a memory cell provided with respect to an intersecting portion of any of the plurality of word lines and any of the plurality of bit lines. Memory cell includes a PIN diode and an anti-fuse. An anode of the PIN diode is electrically connected to any of the bit lines. A cathode of the PIN diode is electrically connected to a first terminal of the anti-fuse. A second terminal of the anti-fuse is electrically connected to any of the word lines. The anti-fuse includes a silicon layer and an insulating layer which are interposed between electrodes.
(FR)L'invention porte sur un dispositif mémoire anti-fusible qui comprend une pluralité de lignes de mot, une pluralité de lignes de bit et une cellule de mémoire fournie par rapport à une partie d'intersection de l'une quelconque de la pluralité de lignes de mot et l'une quelconque de la pluralité de lignes de bit. Une cellule de mémoire comprend une diode PIN et un anti-fusible. Une anode de la diode PIN est électriquement connectée à l'une quelconque des lignes de bit. Une cathode de la diode PIN est électriquement connectée à une première borne de l'anti-fusible. Une seconde borne de l'anti-fusible est électriquement connectée à l'une quelconque des lignes de mot. L'anti-fusible comprend une couche de silicium et une couche isolante qui sont intercalées entre les électrodes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)