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1. (WO2010026725) MAGNETORESISTIVE ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND STORAGE MEDIUM USED IN THE MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/026725    International Application No.:    PCT/JP2009/004246
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 31.08.2009
IPC:
H01L 43/08 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
Applicants: CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 5-1, Kurigi 2-chome, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (For All Designated States Except US).
KURIBAYASHI, Masaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
DJAYAPRAWIRA, David Djulianto [ID/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KURIBAYASHI, Masaki; (JP).
DJAYAPRAWIRA, David Djulianto; (JP)
Agent: WATANABE, Keisuke; (JP)
Priority Data:
2008-229350 08.09.2008 JP
Title (EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND STORAGE MEDIUM USED IN THE MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT UTILISÉ DANS LE PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 磁気抵抗素子とその製造方法、該製造方法に用いる記憶媒体
Abstract: front page image
(EN)A magnetoresistive element having a higher MR ratio than conventional magnetoresistive elements, and a method for manufacturing the magnetoresistive element. The magnetoresistive element comprises a substrate, a crystalline first ferromagnetic layer, a tunnel barrier layer, a crystalline second ferromagnetic layer, a nonmagnetic intermediate layer and a crystalline third ferromagnetic layer.  The first ferromagnetic layer is composed of an alloy containing Co atoms, Fe atoms and B atoms; the tunnel barrier layer has a crystalline magnesium oxide layer or a crystalline boron-magnesium oxide layer; and the second ferromagnetic layer and the third ferromagnetic layer are composed of an alloy containing Co atoms, Fe atoms and B atoms or an alloy containing Co atoms and Fe atoms.
(FR)L'invention concerne un élément magnétorésistif dont le rapport MR est supérieur à celui des éléments magnétorésistifs conventionnels, et un procédé de fabrication de l’élément magnétorésistif. L’élément magnétorésistif comprend un substrat, une première couche ferromagnétique cristalline, une couche de barrière tunnel, une deuxième couche ferromagnétique cristalline, une couche intermédiaire non magnétique, et une troisième couche ferromagnétique cristalline.  La première couche ferromagnétique est composée d’un alliage contenant des atomes de Co, des atomes de Fe et des atomes de B ; la couche de barrière tunnel comporte une couche d’oxyde de magnésium cristalline ou une couche d’oxyde de bore-magnésium cristalline ; et la deuxième couche ferromagnétique et la troisième couche ferromagnétique sont composées d’un alliage contenant des atomes de Co, des atomes de Fe et des atomes de B ou d’un alliage contenant des atomes de Co et des atomes de Fe.
(JA) 従来よりも高いMR比を持った磁気抵抗素子とその製造方法を提供する。  基板と、結晶性第一強磁性体層、トンネルバリア層、結晶性第二強磁性体層、非磁性中間層、結晶性第三強磁性体層を有する磁気抵抗素子であって、第一強磁性体層がCo原子、Fe原子及びB原子を含有する合金からなり、トンネルバリア層が結晶性酸化マグネシウム層又は結晶性ボロンマグネシウム酸化物層を有し、第二強磁性体層及び第三強磁性体層がCo原子、Fe原子及びB原子を含有する合金又はCo原子とFe原子を含有する合金からなる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)