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1. (WO2010026667) FERROMAGNETIC PREFERRED GRAIN GROWTH PROMOTION SEED LAYER FOR AMORPHOUS OR MICROCRYSTALLINE MGO TUNNEL BARRIER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/026667    International Application No.:    PCT/JP2008/066474
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 03.09.2008
Chapter 2 Demand Filed:    17.03.2010    
IPC:
H01L 43/12 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01)
Applicants: Canon ANELVA Corporation [JP/JP]; 2-5-1 Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (For All Designated States Except US).
CHOI, Young-suk [KR/JP]; (JP) (For US Only).
OTANI, Yuichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: CHOI, Young-suk; (JP).
OTANI, Yuichi; (JP)
Agent: OKABE, Masao; No. 602, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
Title (EN) FERROMAGNETIC PREFERRED GRAIN GROWTH PROMOTION SEED LAYER FOR AMORPHOUS OR MICROCRYSTALLINE MGO TUNNEL BARRIER
(FR) COUCHE DE GERME DE PROMOTION DE LA CROISSANCE DU GRAIN PRÉFÉRÉE FERROMAGNÉTIQUE POUR BARRIÈRE TUNNEL AU MGO AMORPHE OU MICROCRISTALLINE
Abstract: front page image
(EN)MgO-based magnetic tunnel junction (MTJ) device includes in essence a ferromagnetic reference layer, a MgO tunnel barrier and a ferromagnetic free layer. The microstructure of MgO tunnel barrier, which is prepared by the metallic Mg deposition followed by the oxidation process or reactive sputtering, is amorphous or microcrystalline with poor (001) out-of-plane texture. In the present invention at least only the ferromagnetic reference layer or both of the ferromagnetic reference and free layer is proposed to be bi-layer structure having a crystalline preferred grain growth promotion (PGGP) seed layer adjacent to the tunnel barrier. This crystalline PGGP seed layer induces the crystallization and the preferred grain growth of the MgO tunnel barrier upon post-deposition annealing.
(FR)Le dispositif à jonction tunnel magnétique (MTJ) à base de MgO comprend essentiellement une couche de référence ferromagnétique, une barrière tunnel au MgO et une couche libre ferromagnétique. La microstructure de la barrière tunnel au MgO, qui est préparée par le dépôt métallique de Mg suivi d’un processus d’oxydation ou d’une pulvérisation réactive, est amorphe ou microcristalline avec une texture hors plan pauvre (001). Selon la présente invention au moins la couche de référence ferromagnétique ou la couche de référence ferromagnétique et la couche libre sont une structure bicouche comportant une couche de germe de promotion de la croissance du grain préférée (PGGP) cristalline adjacente à la barrière tunnel. Cette couche de germe PGGP cristalline induit la cristallisation et la croissance de grain préférée de la barrière tunnel au MgO par recuit post-dépôt.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)