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1. (WO2010026654) MEMORY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/026654    International Application No.:    PCT/JP2008/066115
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 05.09.2008
IPC:
H01L 27/10 (2006.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP) (For All Designated States Except US).
MUROOKA, Kenichi [JP/JP]; (For US Only).
KANNO, Hiroshi [JP/JP]; (For US Only)
Inventors: MUROOKA, Kenichi; .
KANNO, Hiroshi;
Agent: SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 1-12-9, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
Title (EN) MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE
(JA) 記憶装置
Abstract: front page image
(EN)A memory device comprising a plurality of row lines (1) disposed in parallel with each other, a plurality of column lines (2) disposed in parallel with each other and in a crosswise direction with respect to the row lines (1), and memory cells (3) disposed at respective intersections between the row lines (1) and the column lines (2), each of the cells comprising a resistance change element (11) and a diode (12) which is serially connected to the resistance change element (11). The diode (12) comprises laminated layers of a first semiconductor region (16) containing an impurity of a first conductivity type, a second semiconductor region (18) containing an impurity of the first conductivity type in a lower concentration than that in the first semiconductor region (16), and a third semiconductor region (17) containing an impurity of a second conductivity type, wherein the second semiconductor region (18) has a higher impurity concentration in a second section which is adjacent to the first semiconductor region (16), than that in a first section which is adjacent to the third semiconductor region (17).
(FR)L'invention concerne un dispositif de mémoire comprenant une pluralité de rangées (1) disposées en parallèle les unes aux autres, une pluralité de colonnes (2) disposées en parallèle les unes aux autres et transversalement par rapport aux rangées (1), ainsi que des cellules de mémoire (3) disposées à des intersections respectives entre les rangées (1) et les colonnes (2), chaque cellule comprenant un élément de changement de résistance (11) et une diode (12) connectée en série audit élément (11). Cette diode (12) comprend des couches stratifiées d'une première région semi-conductrice (16) contenant une impureté d'un premier type conductivité, d'une deuxième région semi-conductrice (18) contenant une impureté du premier type de conductivité dans une concentration inférieure à celle de la première région semi-conductrice (16), et d'une troisième région semi-conductrice (17) contenant une impureté d'un deuxième type de conductivité, la deuxième région semi-conductrice (18) présentant une concentration d'impureté supérieure dans une deuxième partie adjacente à la première région semi-conductrice (16) à celle d'une première partie adjacente à la troisième région semi-conductrice (17).
(JA) 記憶装置は、互いに平行配置された複数本の行線(1)と、前記行線に交差するように互いに平行配置された複数本の列線(2)と、前記行線(1)と前記列線(2)との各交差部に配置され、抵抗変化素子(11)とこれに直列に接続されたダイオード(12)からなるメモリセル(3)とを含み、前記ダイオード(12)が、第1導電型の不純物を含む第1半導体領域(16)と、前記第1半導体領域より低濃度の第1導電型の不純物を含む第2半導体領域(18)と、第2導電型の不純物を含む第3半導体領域(17)の積層により構成され、前記第2半導体領域(18)の不純物濃度が、前記第3半導体領域(17)と隣接する第1隣接部よりも、前記第1半導体領域(16)と隣接する第2隣接部において、高濃度となっている部分を含むことを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)