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1. (WO2010026576) PHOTOELECTRIC STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/026576    International Application No.:    PCT/IL2009/000848
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 02.09.2009
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/075 (2012.01)
Applicants: GOLAN, Gady [IL/IL]; (IL).
AXELEVITCH, Alex [IL/IL]; (IL) (For US Only).
SHAVIT, Ronen [IL/IL]; (IL) (For US Only)
Inventors: GOLAN, Gady; (IL).
AXELEVITCH, Alex; (IL).
SHAVIT, Ronen; (IL)
Agent: REINHOLD COHN AND PARTNERS; P.O.B.13239 61131 Tel Aviv (IL)
Priority Data:
61/190,592 02.09.2008 US
Title (EN) PHOTOELECTRIC STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
(FR) STRUCTURE PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A photoelectric structure is presented, comprising one or more PiN cells. The PiN cell is formed by an intrinsic semiconductor bulk having front and rear surfaces enclosed between p- and n-type regions extending along side surfaces of said semiconductor bulk. The front and rear surfaces of the intrinsic semiconductor bulk are active surfaces of the PiN cell and said side surfaces of said semiconductor bulk formed with said p- and n-type regions are configured and operable for collecting excess charged carriers generated in said semiconductor bulk in response to collected electromagnetic radiation to which at least one of the active surfaces is exposed during the PiN cell operation.
(FR)La présente invention concerne une structure photoélectrique comprenant une ou plusieurs cellules PiN. Cette cellule PiN est constituée d'une masse de semi-conducteur intrinsèque dont la face antérieure et la face postérieure sont enfermées entre des régions dopées P et N disposées le long des faces latérales de ladite masse de semi-conducteur. La face antérieure et la face postérieure de la masse de semi-conducteur intrinsèque sont les faces actives de la cellule PiN. En outre, les faces latérales que la masse de semi-conducteur forme avec les régions dopées P et N sont configurées et mises en œuvre de façon à recueillir l'excédant de porteurs chargés produits dans la masse de semi-conducteur en réaction au rayonnement électromagnétique recueilli auquel l'une au moins des faces actives est exposée pendant le fonctionnement de la cellule PiN.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)