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1. (WO2010025938) JUNCTIONLESS METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/025938    International Application No.:    PCT/EP2009/006444
Publication Date: 11.03.2010 International Filing Date: 04.09.2009
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Applicants: UNIVERSITY COLLEGE CORK, NATIONAL UNIVERSITY OF IRELAND [IE/IE]; Western Road Cork (IE) (For All Designated States Except US).
COLINGE, Jean-Pierre [BE/IE]; (IE) (For US Only)
Inventors: COLINGE, Jean-Pierre; (IE)
Agent: LUCEY, Michael; Purdylucey Intellectual Property Suites 138/139, The Capel Building Mary's Abbey, Dublin 7 (IE)
Priority Data:
EP08105248.2  05.09.2008 EP
61/094,709  05.09.2008 US
Title (EN) JUNCTIONLESS METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE MÉTALLIQUE SANS JONCTION
Abstract: front page image
(EN)The invention provides junction-less transistor comprising a source, a drain and a connecting channel, characterised in that the channel is a nano-structure device, controlled by a gate electrode, to allow current flow between the source and drain. The doping in the channel comprises the same polarity and same doping concentration as in the source and drain. The transistor comprises means for varying a gate voltage to control the current flow between the source and drain. The invention provides for a new construction of a transistor based on a junctionless structure approach. The diffusion effects are eliminated based on the realisation by the inventors that diffusion occurs only if a gradient of concentration is present. The invention is particularly suitable for use in a multi-gate transistor structure.
(FR)L'invention concerne un transistor sans jonction comprenant une source, un drain et un canal de connexion, caractérisé en ce que le canal est un dispositif à nanostructure, commandé par une électrode de gâchette, pour permettre la circulation du courant entre la source et le drain. Le dopage dans le canal comprend la même polarité et la même concentration de dopage que dans la source et le drain. Le transistor comprend des moyens de variation de la tension de gâchette pour contrôler la circulation du courant entre la source et le drain. L'invention concerne une nouvelle construction d'un transistor sur la base d'une approche de structure sans jonction. Les effets de diffusion sont éliminés sur la base de la réalisation par les inventeurs que la diffusion ne se produit que s'il existe un gradient de concentration. L'invention convient particulièrement à l'utilisation dans une structure de transistor à gâchettes multiples.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)